[发明专利]具有掩埋沟道阵列的半导体装置的制造方法

摘要

一种制造半导体装置的方法，包括在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成沿第一方向延伸的第一场区，其中第一场区包括第一场沟槽；形成掩埋栅结构对，所述掩埋栅结构对相对于第一方向以预定角度延伸穿过第一场区；和形成与掩埋栅结构平行延伸的第二场区，其中第二场区包括第二场沟槽，第一场区与第二场区在第一场沟槽和第二场沟槽彼此相交的相交区域相交，所述相交区域具有比第一场沟槽和第二场沟槽的深度大的深度，其中形成掩埋栅结构对包括：在衬底上形成具有栅沟槽孔对的栅掩模图案；使用栅掩模图案作为蚀刻掩模，在衬底中形成栅沟槽对；和形成栅盖层对以填充栅沟槽对，其中形成第二场区包括：使栅掩模图案部分地凹进，使得每一栅盖层包括从凹进的栅掩模图案中暴露的上部；在栅盖层的上部的侧表面上和凹进的栅掩模图案上形成间隔层掩模图案；使用间隔层掩模图案作为蚀刻掩模刻蚀衬底，以在衬底中形成第二场沟槽；和形成第二场绝缘材料以填充第二场沟槽。