[发明专利]具有掩埋沟道阵列的半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

在衬底中形成沿第一方向延伸的第一场区，其中第一场区包括第一场沟槽；

形成掩埋栅结构对，所述掩埋栅结构对相对于第一方向以预定角度延伸穿过第一场区；和

形成与掩埋栅结构平行延伸的第二场区，其中第二场区包括第二场沟槽，第一场区与第二场区在第一场沟槽和第二场沟槽彼此相交的相交区域相交，所述相交区域具有比第一场沟槽和第二场沟槽的深度大的深度，

其中形成掩埋栅结构对包括：

在衬底上形成具有栅沟槽孔对的栅掩模图案；

使用栅掩模图案作为蚀刻掩模，在衬底中形成栅沟槽对；和

形成栅盖层对以填充栅沟槽对，

其中形成第二场区包括：

使栅掩模图案部分地凹进，使得每一栅盖层包括从凹进的栅掩模图案中暴露的上部；

在栅盖层的上部的侧表面上和凹进的栅掩模图案上形成间隔层掩模图案；

使用间隔层掩模图案作为蚀刻掩模刻蚀衬底，以在衬底中形成第二场沟槽；和

形成第二场绝缘材料以填充第二场沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成间隔层掩模图案包括：

形成间隔层掩模材料层以覆盖栅盖层和凹进的栅掩模图案；

刻蚀间隔层掩模材料层以暴露栅掩模图案的一部分；和

刻蚀栅掩模图案的暴露部分以形成暴露衬底表面的场沟槽孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成栅掩模图案包括：

在衬底上形成垫绝缘层；

在垫绝缘层上形成缓冲绝缘层；和

在缓冲绝缘层上形成栅掩模图案。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在形成第二场绝缘材料之后去除间隔层掩模图案以暴露栅掩模图案。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：去除暴露的栅掩模图案，使得暴露缓冲绝缘层，暴露栅盖层对的上部，以及暴露第二场绝缘材料的上部。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在暴露的缓冲绝缘层、栅盖层对的暴露的上部和第二场绝缘材料的暴露的上部上形成牺牲层。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

去除第一场区上的牺牲层以形成焊盘沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

形成包括氮化硅的焊盘绝缘层以填充焊盘沟槽。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

部分地去除焊盘绝缘层，使得焊盘绝缘层、栅盖层和第二场绝缘材料的上表面被平坦化。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

去除牺牲层的剩余部分以形成由第二场绝缘材料和栅盖层对限定的焊盘孔。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

部分地去除焊盘绝缘层和栅盖层，使得焊盘孔被扩大并与掩埋栅结构部分地交迭。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在焊盘孔中形成焊盘，所述焊盘与掩埋栅结构部分地交迭。