[发明专利]具有钨栅电极的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可独立地控制NMOS的阈值电压和PMOS的阈值电压的半导体器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底的NMOS区域和PMOS区域之上形成栅绝缘膜；在形成于NMOS区域和PMOS区域中的一个之上的栅绝缘膜之上形成含碳钨；在形成于PMOS区域或NMOS区域中的另一个之上的栅绝缘膜之上形成含碳氮化钨；在含碳钨和含碳氮化钨之上形成钨膜；将含碳钨和含碳氮化钨后退火；以及刻蚀钨膜、含碳钨和含碳氮化钨，以在NMOS区域和PMOS区域中形成栅电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域；第一栅电极，所述第一栅电极形成在所述NMOS区域中，其中所述第一栅电极包括第一含碳钨膜和钨膜的层叠；以及第二栅电极，所述第二栅电极形成在所述PMOS区域中，其中所述第二栅电极包括第二含碳氮化钨膜和钨膜的层叠，其中，所述第二含碳氮化钨膜的碳含量小于所述第一含碳钨膜的碳含量。