[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310123335.8 申请日: 2013-03-08
公开(公告)号: CN103325933A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 木村晃也;樋口和人;下川一生;小幡进;中山俊弥;伊藤寿 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 韩宏;陈松涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电柱、密封单元、以及第一和第二端子。该发光单元包括第一和第二半导体层以及发光层。该发光层设置在第一半导体层上。该第二半导体层设置在该发光层上。该第一导电柱设置在该第一半导体层上。该第二导电柱设置在该第二半导体层上。密封单元覆盖发光单元、第一导电柱、以及第二导电柱中的每一个的侧面。第一端子设置在第一导电柱和密封单元之上。第二端子设置在第二导电柱和密封单元上。
搜索关键词: 半导体 发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:发光单元,其包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层,所述第一半导体层具有第一导电类型并具有包括第一部分和第二部分的主表面,所述发光层设置在所述第一部分上,所述第二半导体层具有第二导电类型并设置在所述发光层上,所述发光单元具有与所述主表面相交的侧面;第一导电柱,其设置在所述第二部分上并沿垂直于所述主表面的第一方向延伸,所述第一导电柱具有沿所述第一方向的侧面并电连接至所述第一半导体层;第二导电柱,其设置在所述第二半导体层上并沿所述第一方向延伸,所述第二导电柱具有沿所述第一方向的侧面并电连接至所述第二半导体层;密封单元,其覆盖所述发光单元的侧面、所述第一导电柱的侧面以及所述第二导电柱的侧面;第一端子,其设置在所述第一导电柱和所述密封单元上,并电连接至所述第一导电柱,所述第一端子包括第一重叠部分和第二重叠部分,所述第一重叠部分与所述发光单元重叠,所述第二重叠部分在投影到平行于所述主表面的平面上时不与所述发光单元重叠而与所述密封单元重叠;以及第二端子,其设置在所述第二导电柱和所述密封单元上,所述第二端子与所述第一端子分隔开并电连接至所述第二导电柱,所述第二端子包括第三重叠部分和第四重叠部分,所述第三重叠部分与所述发光单元重叠,所述第四重叠部分在投影到所述平面时不与所述发光单元重叠而与所述密封单元重叠。
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