[发明专利]具有金属接触件的III-V族化合物半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的包含至少第一III-V族半导体化合物的沟道层；位于沟道层的第一部分上方的栅极堆叠结构；位于沟道层的第二部分上方的包含至少第二III-V族半导体化合物的源极区和漏极区；以及位于S/D区上方的包含接触S/D区的第一金属化接触层的第一金属接触结构。第一金属化接触层包含至少一种金属-III-V族半导体化合物。本发明提供了具有金属接触件的III-V族化合物半导体器件及其制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；沟道层，包含至少第一III‑V族半导体化合物，所述沟道层位于所述半导体衬底上方；栅极堆叠结构，位于所述沟道层的第一部分的上方；源极区和漏极区，位于所述沟道层的第二部分的上方，所述源极区和所述漏极区(S/D区)包含至少第二III‑V族半导体化合物；以及第一金属接触结构，位于所述S/D区上方，所述第一金属接触结构包括接触所述S/D区的第一金属化接触层，该金属化接触层包含至少一种金属‑III‑V族半导体化合物。