[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：半导体衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有焊盘第一金属和熔丝层，第一介质层、焊盘第一金属和熔丝层表面具有第二介质层；在第二介质层表面形成焊盘第二金属；在焊盘第二金属表面形成保护层；在第二介质层和保护层表面形成第三介质层；刻蚀形成第一开口和第二开口，第一开口贯穿第三介质层，并暴露出保护层表面，第二开口贯穿第三介质层和第二介质层，并暴露出熔丝层表面，刻蚀第三介质层的速率较刻蚀保护层的速率高，刻蚀第二介质层的速率较刻蚀保护层的速率高；去除第一开口底部的保护层，并暴露出焊盘第二金属表面。半导体结构的形成工艺简单，所形成的半导体结构的形貌良好，性能稳定。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层具有第一区域和第二区域，所述第一区域的第一介质层表面具有焊盘第一金属，所述第二区域的第一介质层表面具有熔丝层，所述第一介质层、焊盘第一金属和熔丝层表面具有第二介质层，所述焊盘第一金属表面具有贯穿所述第二介质层的第一导电插塞；在所述第二介质层和第一导电插塞表面形成焊盘第二金属，所述焊盘第一金属的位置与焊盘第二金属对应；在焊盘第二金属表面形成保护层；在所述第二介质层和保护层表面形成第三介质层；采用刻蚀工艺形成第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿第三介质层，并暴露出保护层表面，所述第二开口贯穿第三介质层和第二介质层，并暴露出熔丝层表面，刻蚀第三介质层的速率较刻蚀保护层的速率高，刻蚀第二介质层的速率较刻蚀保护层的速率高；去除第一开口底部的保护层，并暴露出焊盘第二金属表面。