[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层具有第一区域和第二区域，所述第一区域的第一介质层表面具有焊盘第一金属，所述第二区域的第一介质层表面具有熔丝层，所述第一介质层、焊盘第一金属和熔丝层表面具有第二介质层，所述焊盘第一金属表面具有贯穿所述第二介质层的第一导电插塞；

在所述第二介质层和第一导电插塞表面形成焊盘第二金属，所述焊盘第一金属的位置与焊盘第二金属对应；

在焊盘第二金属表面形成保护层；

在所述第二介质层和保护层表面形成第三介质层；

采用刻蚀工艺形成第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿第三介质层，并暴露出保护层表面，所述第二开口贯穿第三介质层和第二介质层，并暴露出熔丝层表面，刻蚀第三介质层的速率较刻蚀保护层的速率高，刻蚀第二介质层的速率较刻蚀保护层的速率高；

去除第一开口底部的保护层，并暴露出焊盘第二金属表面。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口和第二开口的形成方法为：在所述第三介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分与焊盘第二金属和熔丝层的位置对应的第三介质层表面；以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第三介质层和第二介质层，直至暴露出保护层和熔丝层表面，形成第一开口和第二开口；去除第一开口底部的保护层并暴露出焊盘第二金属表面。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀第三介质层或第二介质层的速率、与刻蚀保护层的速率的比例为5:1～6:1。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第一开口底部的保护层的工艺为湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊盘第二金属和保护层的形成方法为：在所述第二介质层表面沉积焊盘第二金属薄膜；在所述焊盘第二金属薄膜表面沉积保护薄膜；采用各向异性的干法刻蚀工艺去除部分所述保护薄膜和焊盘第二金属薄膜直至暴露出第二介质层表面为止，形成焊盘第二金属和保护层。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层的材料为氧化硅，所述第三介质层包括氧化硅层、以及位于氧化硅层表面的氮化硅层，所述保护层的材料为氮化硅，所述保护层的厚度为500埃～10000埃。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊盘第一金属、焊盘第二金属和导电插塞的材料为铜、钨和铝中的一种或多种组合。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述熔丝层的材料为多晶硅或金属，所述熔丝层包括：位于两端的阴极和阳极、以及位于所述阴极和阳极之间的熔断区，所述阴极和阳极的宽度大于所述熔断区的宽度。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述熔丝层阴极和阳极的表面形成第二导电插塞。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层内还包括：形成于半导体衬底表面的半导体器件以及电连接所述半导体器件的导电结构，所述半导体器件与导电结构与所述焊盘第一金属电连接。