[发明专利]一种功率器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N‑外延层，然后在N‑外延层的上表面形成SiO2薄膜层,在SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区。本发明通过外延非晶硅形成的N型层作为功率器件的场截止层，剩余的载流子会很快被复合掉，外在表现就是使功率器件关断的拖尾电流变短，减小关断时间及关断损耗。

主权项

1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在所述N型的非晶硅场截止层上形成N‑外延层，然后在所述N‑外延层的上表面形成SiO2薄膜层；在所述SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区；对所述功率器件的有源区进行曝光，然后进行P型硼注入和退火，形成P型层；在所述P型层的正面蒸发金属，形成金属层，经刻蚀，将所述有源区的金属与所述终端区的金属场板隔断，在所述金属层上覆盖氮化硅层，经刻蚀后，形成钝化层；将所述N+型衬底的背面减薄，形成欧姆接触，在所述N+型衬底的背面蒸发金属薄膜层。