[发明专利]一种电场阻断型IGBT结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种电场阻断型IGBT结构的制备方法，属于半导体功率器件技术领域。制备方法为选择N+单晶片作为N+型衬底，在N+型衬底上通过外延的方法依次形成第一外延层和第二外延层，在外延层上依次形成P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；将N+型衬底的背面减薄，移除部分第一外延层，形成N+型缓冲层，第二外延层为N‑基区；在N+型缓冲层的背面通过离子注入的方法形成P+集电极层，然后在P+集电极层上面生长背金金属层，N+型缓冲层厚度为5‑35μm，N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm。本发明可以使N‑基区的厚度变得更薄，从而降低IGBT的导通电压和关断时间。

主权项

1.一种电场阻断型IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：选择N+单晶片作为N+型衬底,所述N+型衬底的电阻率为0.01–0.001Ωcm；在所述N+型衬底的正面通过外延的方法依次形成第一外延层和第二外延层；其中，所述形成第一外延层后，经离子注入和高温退火后，再形成所述第二外延层；在所述第二外延层上依次形成P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；将所述N+型衬底的背面减薄，移除部分所述第一外延层，形成N+型缓冲层，所述第二外延层为N‑基区,所述N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm,所述N‑基区的电阻率为30–100Ωcm；在所述N+型缓冲层的背面通过离子注入的方法形成P+集电极层；在所述P+集电极层上生长背金金属层。