[发明专利]一种电场阻断型IGBT结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310086227.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839804B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡爱斌;朱阳军;卢烁今;吴振兴;田晓丽;赵佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电场 阻断 igbt 结构 制备 方法 | ||
1.一种电场阻断型IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
选择N+单晶片作为N+型衬底,所述N+型衬底的电阻率为0.01–0.001Ωcm；
在所述N+型衬底的正面通过外延的方法依次形成第一外延层和第二外延层；其中，所述形成第一外延层后，经离子注入和高温退火后，再形成所述第二外延层；
在所述第二外延层上依次形成P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；
将所述N+型衬底的背面减薄，移除部分所述第一外延层，形成N+型缓冲层，所述第二外延层为N-基区,所述N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm,所述N-基区的电阻率为30–100Ωcm；
在所述N+型缓冲层的背面通过离子注入的方法形成P+集电极层；
在所述P+集电极层上生长背金金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型缓冲层厚度为5-35μm，所述N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述N+型缓冲层厚度为10-30μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N-基区的厚度为50-200μm，所述N-基区的电阻率为30–100Ωcm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成P+集电极层中，所述离子注入的剂量为1e12/cm2–1e16/cm2。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成P+集电极层的离子注入的离子为B或者BF2。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成P+集电极层的离子注入的能量为20KeV-100KeV。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
