[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在所述第III族氮化物半导体发光器件中，发光层的一部分区域作为非发光区域，所述方法包括：第一步骤：在生长衬底上依次层叠包括第III族氮化物半导体的n型层、发光层和p型层；第二步骤：通过热处理将所述p型层活化为p型活性化并且随后在所述p型层上形成p接触电极；第三步骤：将包括分散在溶剂中的导电金属粒子的金属膏施加到所述p接触电极上的期望区域，所述溶剂包括含有氢作为组成元素的物质；以及第四步骤：通过热处理固化所述金属膏以将所述p型层的一部分区域形成为高电阻区域，从而将所述发光层的在平面视图中与施加有所述金属膏的区域重叠的区域形成为非发光区域。