[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在所述第III族氮化物半导体发光器件中，发光层的一部分区域作为非发光区域，所述方法包括：

第一步骤：在生长衬底上依次层叠包括第III族氮化物半导体的n型层、发光层和p型层；

第二步骤：通过热处理将所述p型层活化为p型活性化并且随后在所述p型层上形成p接触电极；

第三步骤：将包括分散在溶剂中的导电金属粒子的金属膏施加到所述p接触电极上的期望区域，所述溶剂包括含有氢作为组成元素的物质；以及

第四步骤：通过热处理固化所述金属膏以将所述p型层的一部分区域形成为高电阻区域，从而将所述发光层的在平面视图中与施加有所述金属膏的区域重叠的区域形成为非发光区域。

2.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述p接触电极包括Ag或Ag合金，以及

所述方法还包括：

第五步骤：在所述第四步骤后将支承体与所述p接触电极接合并且使用衬底剥离法移除所述生长衬底，以及

第六步骤：在所述第五步骤后，在通过移除所述生长衬底而露出的n型层的表面上的在平面视图中与施加有所述金属膏的区域重叠的区域中形成n电极。

3.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述生长衬底是透明导电衬底，

所述p接触电极包括Ag或Ag合金，以及

所述方法还包括：

第七步骤：在所述第四步骤后，在所述生长衬底的与所述n型层形成侧相反的一侧的表面的在平面视图中与施加有所述金属膏的区域重叠的区域上形成n电极。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述第III族氮化物半导体发光器件是正装型，

所述p接触电极是包括透明导电材料的透明电极，以及

在所述第四步骤中固化的固化金属膏用作p焊垫电极。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述金属膏的溶剂是环氧树脂、聚硅氧烷树脂或者高级脂肪醇。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述金属粒子是Ag、Cu或Au。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在1Pa至50Pa的压力下，在氧气氛、惰性气体气氛或者它们的混合气氛中进行所述第四步骤的所述热处理。

8.根据权利要求7所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在氧气氛、氮气氛或者它们的混合气氛中进行所述第四步骤的所述热处理。

9.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：导电支承体；位于所述支承体上的包括Ag或含Ag合金的p电极；依次位于所述p电极上的包括第III族氮化物半导体的p型层、发光层和n型层；以及位于所述n型层上的n电极，

其中在所述p电极的所述支承体侧处的表面上的、在平面视图中与所述n电极重叠的区域具有金属膏的固体形式的固化金属膏，以及

所述p型层的在平面视图中与所述固化金属膏重叠的区域是高电阻区域。

10.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：透明导电衬底；依次位于所述透明导电衬底上的包括第III族氮化物半导体的n型层、发光层和p型层；位于所述p型层上的包括Ag或含Ag合金的p电极；以及位于所述透明导电衬底的与所述n型层侧相反的一侧的表面上的n电极，

其中在所述p电极上的并且在平面视图中与所述n电极重叠的区域具有金属膏的固体形式的固化金属膏，以及

所述p型层的在平面视图中与所述固化金属膏重叠的区域是高电阻区域。