[发明专利]堆叠模块无效

专利信息
申请号: 201310081149.2 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN103367349A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 增田哲 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;陈炜
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种堆叠模块,包括:第一多层基底(6),包括具有阶梯形壁面(1Y)的开口(1X)以及包括第一接地导体层(17)的第一传输线(18);第二多层基底(2),支撑在阶梯形壁面的阶梯状部分(1Z)上并且包括第二传输线(15),第二传输线(15)包括第二接地导体层(14);第一芯片(3),安装在开口的底部上并且耦接至设置在第一多层基底上的第三传输线(10);以及第二芯片(4),安装在第二多层基底的正面上并且耦接至第二传输线。暴露第二接地导体层或耦接至第二导体层的第四接地导体层的面接合至暴露第一接地导体层或耦接至第一接地导体层的第三接地导体层的阶梯状部分,并且第一接地导体层与第二接地导体层耦接。
搜索关键词: 堆叠 模块
【主权项】:
一种堆叠模块,包括:第一多层基底,所述第一多层基底包括开口和第一传输线,所述开口具有阶梯形壁面,所述第一传输线由设置在第一基底的正面侧的第一导线和设置在所述第一基底的背面侧的第一接地导体层所构成;第二多层基底,所述第二多层基底支撑在设置在所述开口的所述阶梯形壁面上的阶梯状部分上并且包括第二传输线,所述第二传输线由设置在第二基底的正面侧的第二导线和设置在所述第二基底的背面侧的第二接地导体层所构成;第一半导体芯片,所述第一半导体芯片安装在所述第一多层基底的所述开口的底面上并且电耦接至设置在所述第一多层基底上的第三传输线;以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片安装在所述第二多层基底的正面上并且电耦接至所述第二传输线;其中,暴露所述第二接地导体层或电耦接至所述第二接地导体层的第四接地导体层的面接合至设置在所述第一接地导体层上的或穿过在所述第一接地导体层的下侧的基底设置在所述第一接地导体层的相对侧的并且暴露电耦接至所述第一接地导体层的第三接地导体层的所述阶梯状部分,并且所述第一接地导体层与所述第二接地导体层彼此电耦接。
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