[发明专利]堆叠模块无效

专利信息
申请号: 201310081149.2 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN103367349A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 增田哲 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;陈炜
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 堆叠 模块
【说明书】:

技术领域

本文中所讨论的实施例涉及一种堆叠模块。

背景技术

近年来,随着宽带的发展,对大容量的高速无线通信的要求正在增长。例如,对于用于便携式电话机的基站的放大器,第三代放大器已经变得普遍并且看起来将来基站放大器进一步朝着容量增大的方向发展到第四代。此外,也估计到,将来,一种新的通信方法(WiMAX)被投入实际应用并且容量的增大进一步发展。因此,对于发送/接收模块,要求输出功率和效率的进一步增大、进一步小型化以及成本的进一步降低。

同时,例如,对于雷达模块(包括放大器的发送/接收模块),要求如下:增大输出功率和增大带宽以增强性能(诸如,增大探测距离或增强分辨率)以及增大效率以降低操作成本和使冷却器小型化。此外,例如,在相控阵列雷达中,在小空间中将包括放大器的发送/接收模块(雷达模块)布置成阵列是必要的,并且要求发送/接收模块的进一步小型化。

发明内容

顺便提及,例如,如图17所示,传统的发送/接收模块被配置成使得放大器和无源器件诸如,例如低噪声放大器100、控制电路101、前置放大器102、高输出放大器103、滤波器104以及发送/接收转换装置105容置在单独地独立的封装件中并且安装在金属壳体106中。因此,模块具有大的尺寸并且难以使模块小型化。

因此,可以想到通过使用将高温共烧陶瓷(HTCC)基底用作多层基底的HTCC技术或将低温共烧陶瓷(LTCC)基底用作多层基底的LTCC技术实现发送/接收模块来实现发送/接收模块的小型化。例如,可以想到形成如下部件:该部件将发送/接收模块配置成芯片并且将芯片安装在多层基底上以实现发送/接收模块的最小化。

此外,可以想到堆叠多个多层基底,其中,多个多层基底上安装有半导体芯片以产生堆叠模块,使得占有区域减小以实现进一步的小型化。

但是,随着频率变高,构成堆叠模块的一个多层基底与另一个多层基底之间的连接部分处的传输损失变高,并且难以实现损失的降低和带宽的增大。

因此,期望通过构成堆叠模块来实现损失的降低和带宽的增大以及实现小型化。

根据实施例的一方面,堆叠模块包括:第一多层基底,该第一多层基底包括开口和第一传输线,开口包括阶梯形壁面,第一传输线由设置在第一基底的正面侧的第一导线和设置在第一基底的背面侧的第一接地导体层构成;第二多层基底,该第二多层基底支撑在设置在开口的阶梯形壁面上的阶梯状部分上并且包括第二传输线,第二传输线由设置在第二基底的正面侧的第二导线和设置在第二基底的背面侧的第二接地导体层构成;第一半导体芯片,该第一半导体芯片安装在第一多层基底的开口的底面上并且电耦接至设置在第一多层基底上的第三传输线;以及第二半导体芯片,该第二半导体芯片安装在第二多层基底的正面上并且电耦接至第二传输线,其中,暴露第二接地导体层或电耦接至第二接地导体层的第四接地导体层的面接合至设置在第一接地导体层上的或穿过在第一接地导体层的下侧的基底设置在第一接地导体层的相对侧的并且暴露电耦接至所述第一接地导体层的第三接地导体层的阶梯状部分,并且第一接地导体层与第二接地导体层彼此电耦接。

附图说明

图1是描绘根据实施例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图2是描绘构成根据实施例的堆叠模块的第一多层基底的配置的示意性俯视图;

图3是描绘根据实施例的堆叠模块的配置的示意性俯视图;

图4是描绘对比例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图5是示出根据实施例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图6是示出对比例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图7是描绘根据第一修改例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图8是示出根据第一修改例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图9是描绘根据第二修改例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图10是示出根据第二修改例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图11是描绘根据第三修改例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图12是示出根据第三修改例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图13是描绘根据第四修改例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图14是示出根据第四修改例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;

图15是描绘根据第五修改例的堆叠模块的配置的示意性截面图;

图16是示出根据第五修改例的堆叠模块的电磁场仿真结果的视图;以及

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310081149.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top