[发明专利]集成电路器件中的细长凸块有效

专利信息
申请号: 201310076688.7 申请日: 2013-03-11
公开(公告)号: CN103367301B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 林彦良;陈承先;郭庭豪;吴胜郁;林宗澍;黄昶嘉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了集成电路器件中的细长凸块,其中一种器件包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘、覆盖金属焊盘边缘部分的钝化层。钝化层具有与金属焊盘重叠的第一开口,第一开口具有在与衬底的主面平行的方向上测量的第一横向尺寸。聚合物层位于钝化层上方并覆盖金属焊盘的边缘部分。聚合物层具有与金属焊盘重叠的第二开口。第二开口具有在该方向上测量的第二横向尺寸。第一横向尺寸比第二横向尺寸大约7μm以上。凸块下金属化层(UBM)包括位于第二开口中的第一部分和覆盖部分聚合物层的第二部分。
搜索关键词: 集成电路 器件 中的 细长
【主权项】:
一种半导体器件,包括:衬底;金属焊盘,位于所述衬底上方;钝化层,覆盖所述金属焊盘的边缘部分,所述钝化层包括与所述金属焊盘重叠的第一开口,并且所述第一开口具有在与所述衬底的主面平行的方向上测量的第一横向尺寸;聚合物层,位于所述钝化层上方并覆盖所述金属焊盘的所述边缘部分,所述聚合物层包括与所述金属焊盘重叠的第二开口,所述第二开口具有在所述方向上测量的第二横向尺寸,并且所述第一横向尺寸比所述第二横向尺寸大7μm以上;以及凸块下金属化层(UBM),包括位于所述第二开口中的第一部分和覆盖部分所述聚合物层的第二部分,其中,所述金属焊盘的尺寸对于减小所述半导体器件中的应力没有影响。
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