[发明专利]集成电路器件中的细长凸块有效
| 申请号： | 201310076688.7 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103367301B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林彦良;陈承先;郭庭豪;吴胜郁;林宗澍;黄昶嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 中的 细长 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
金属焊盘，位于所述衬底上方；
钝化层，覆盖所述金属焊盘的边缘部分，所述钝化层包括与所述金属焊盘重叠的第一开口，并且所述第一开口具有在与所述衬底的主面平行的方向上测量的第一横向尺寸；
聚合物层，位于所述钝化层上方并覆盖所述金属焊盘的所述边缘部分，所述聚合物层包括与所述金属焊盘重叠的第二开口，所述第二开口具有在所述方向上测量的第二横向尺寸，并且所述第一横向尺寸比所述第二横向尺寸大7μm以上；以及
凸块下金属化层(UBM)，包括位于所述第二开口中的第一部分和覆盖部分所述聚合物层的第二部分，
其中，所述金属焊盘的尺寸对于减小所述半导体器件中的应力没有影响。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸块下金属化层具有在所述方向上测量的第三横向尺寸，所述第一横向尺寸比所述第三横向尺寸小2μm以上。
3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括位于所述凸块下金属化层上方的金属柱。
4.根据权利要求3所述的器件，其中，器件管芯包括所述金属焊盘、所述钝化层、所述聚合物层和所述凸块下金属化层，并且所述金属柱通过铜柱导线直连接合而接合至封装衬底的金属线。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状并包括一长度和小于所述长度的宽度，并且所述方向与所述凸块下金属化层的纵向平行。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状并包括一长度和小于所述长度的宽度，并且所述方向与所述凸 块下金属化层的横向平行。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一开口、所述第二开口和所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状。
8.一种半导体器件，包括：
衬底；
金属焊盘，位于所述衬底上方；
钝化层，覆盖所述金属焊盘的边缘部分，所述钝化层包括与所述金属焊盘重叠的第一开口，并且所述第一开口具有在与所述衬底的主面平行的方向上测量的第一横向尺寸；
聚合物层，位于所述钝化层上方并覆盖所述金属焊盘的边缘部分，所述聚合物层包括与所述金属焊盘重叠的第二开口；以及
凸块下金属化层(UBM)，包括位于所述第二开口中的第一部分和覆盖部分所述聚合物层的第二部分，所述凸块下金属化层具有在所述方向上测量的第二横向尺寸，并且所述第一横向尺寸比所述第二横向尺寸小2μm以上，
其中，所述金属焊盘的尺寸对于减小所述半导体器件中的应力没有影响。
9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第二开口具有在所述方向上测量的第三横向尺寸，所述第一横向尺寸比所述第三横向尺寸大7μm以上。
10.根据权利要求8所述的器件，进一步包括位于所述凸块下金属化层上方的金属柱，所述金属柱的边缘与所述凸块下金属化层的对应边缘对齐。
11.根据权利要求10所述的器件，其中，器件管芯包括所述金属焊盘、所述钝化层、所述聚合物层和所述凸块下金属化层，并且所述金属柱通过铜柱导线直连接合而接合至封装衬底的金属线。
12.根据权利要求8所述的器件，其中，所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状并包括一长度和小于所述长度的宽度，并且所述方向与所述凸块下金属化层的纵向平行。
13.根据权利要求8所述的器件，其中，所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状并包括一长度和小于所述长度的宽度，并且所述方向与所述凸块下金属化层的横向平行。
14.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一开口、所述第二开口和所述凸块下金属化层具有细长的俯视形状。
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