[发明专利]半导体装置、打印设备及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。

主权项

一种包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体装置的制造方法，DMOS晶体管包含具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型并具有比漏极区域和源极区域低的杂质浓度的第一杂质区域、和具有与第一杂质区域相反的导电类型的第二杂质区域，所述第一杂质区域和第二杂质区域形成为在半导体基板的上表面中彼此相邻，第一杂质区域形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括：与NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个的阱同时形成第一杂质区域的第一步骤；和与NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个的阱同时形成第二杂质区域的第二步骤。