[发明专利]含FinFET的SRAM单元有效
| 申请号： | 201310065008.1 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103854696A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是含FinFET的SRAM单元。一种静态随机存储器(SRAM)包括第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET，以及与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器的第一下拉FinFET和第二下拉FinFET。第一传输门FinFET连接至第一上拉FinFET和第一下拉FinFET的漏极。第二传输门FinFET连接至第二上拉FinFET和第二下拉FinFET的漏极，其中，第一和第二传输门FinFET是P型FinFET。P阱区位于SRAM单元的中心区以及第一和第二下拉FinFET的下面。第一和第二N阱区位于P阱区的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | finfet sram 单元 | ||
【主权项】：
一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET；第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器；第一传输门FinFET，连接至所述第一上拉FinFET和所述第一下拉FinFET的漏极；第二传输门FinFET，连接至所述第二上拉FinFET和所述第二下拉FinFET的漏极，其中，所述第一传输门FinFET和所述第二传输门FinFET是P型FinFET；P阱区，位于所述SRAM单元的中心区中且位于所述第一下拉FinFET和所述第二下拉FinFET的下方；以及第一N阱区和第二N阱区，位于所述P阱区的相对侧。
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