[发明专利]含FinFET的SRAM单元

说明书

相关申请的交叉引用

本申请涉及下列于2012年11月30日提交的第13691187号标题为“含FinFET的SRAM单元”(代理案号TSM12-1032)的共同转让的专利申请，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及含FinFET的SRAM单元。

背景技术

静态随机存储器(SRAM)通常用于集成电路。SRAM单元具有无需刷新就能保持数据的有益特征。随着对集成电路速度的要求越来越高，SRAM单元的读取速度和写入速度变得更为重要。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET；第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，与第一上拉FinFET和第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器；第一传输门FinFET，连接至第一上拉FinFET和第一下拉FinFET的漏极；第二传输门FinFET，连接至第二上拉FinFET和第二下拉FinFET的漏极，其中，第一传输门FinFET和第二传输门FinFET是P型FinFET；P阱区，位于SRAM单元的中心区中且位于第一下拉FinFET和第二下拉FinFET的下方；以及第一N阱区和第二N阱区，位于P阱区的相对侧。

该SRAM单元进一步包括长接触插塞，长接触插塞的纵向平行于第一传输门FinFET的半导体鳍的纵向，其中，长接触插塞使第一上拉FinFET的漏极区与第一下拉FinFET的漏极区互连。

该SRAM单元进一步包括对接接触插塞，对接接触插塞将长接触插塞连接至第二下拉FinFET的栅电极。

其中，第一上拉FinFET和第一传输门FinFET的栅电极互连，以形成连续的栅电极长条，并且连续的栅电极长条延伸进入P阱区和第一N阱区。

其中，第一下拉FinFET是单鳍FinFET，而第一上拉FinFET和第一传输门FinFET是多鳍FinFET。

其中，第一下拉FinFET、第一上拉FinFET和第一传输门FinFET是单鳍FinFET。

其中，第一上拉FinFET和第一传输门FinFET的源极区和漏极区包括外延区，并且外延区包括硅锗。

此外，还提供了一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：P阱区，位于SRAM单元中；第一N阱区和第二N阱区，位于P阱区的相对侧；第一半导体鳍，位于第一N阱区中；第二半导体鳍，位于P阱区中；第一栅电极，位于第一N阱区中，第一栅电极跨过第一半导体鳍以形成第一传输门场效应晶体管(FinFET)；以及第二栅电极，延伸进入第一N阱区和P阱区，第二栅电极与第一半导体鳍一起形成第一上拉FinFET，并与第二半导体鳍一起形成第一下拉FinFET。

该SRAM单元进一步包括长接触插塞，长接触插塞将第一半导体鳍连接至第二半导体鳍，长接触插塞位于第一栅电极和第二栅电极之间且纵向平行于第一栅电极和第二栅电极。

该SRAM单元进一步包括：第三半导体鳍，位于第一N阱区中，第三半导体鳍与第二栅电极一起形成第二上拉FinFET；以及第三栅电极，位于第一N阱区中，第三栅电极与第三半导体鳍一起形成第二传输门FinFET。

其中，第二上拉FinFET和第二传输门FinFET是单鳍FinFET。

其中，第一上拉FinFET和第一传输门FinFET是多鳍FinFET。

其中，第一下拉FinFET是单鳍FinFET。

其中，第一上拉FinFET和第一传输门FinFET的源极区和漏极区包括外延区，并且外延区包括硅锗。