[发明专利]含FinFET的SRAM单元

权利要求书

1.一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：

第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET；

第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器；

第一传输门FinFET，连接至所述第一上拉FinFET和所述第一下拉FinFET的漏极；

第二传输门FinFET，连接至所述第二上拉FinFET和所述第二下拉FinFET的漏极，其中，所述第一传输门FinFET和所述第二传输门FinFET是P型FinFET；

P阱区，位于所述SRAM单元的中心区中且位于所述第一下拉FinFET和所述第二下拉FinFET的下方；以及

第一N阱区和第二N阱区，位于所述P阱区的相对侧。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元，进一步包括长接触插塞，所述长接触插塞的纵向平行于所述第一传输门FinFET的半导体鳍的纵向，其中，所述长接触插塞使所述第一上拉FinFET的漏极区与所述第一下拉FinFET的漏极区互连。

3.根据权利要求2所述的SRAM单元，进一步包括对接接触插塞，所述对接接触插塞将所述长接触插塞连接至所述第二下拉FinFET的栅电极。

4.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述第一上拉FinFET和所述第一传输门FinFET的栅电极互连，以形成连续的栅电极长条，并且所述连续的栅电极长条延伸进入所述P阱区和所述第一N阱区。

5.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述第一下拉FinFET是单鳍FinFET，而所述第一上拉FinFET和所述第一传输门FinFET是多鳍FinFET。

6.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述第一下拉FinFET、所述第一上拉FinFET和所述第一传输门FinFET是单鳍FinFET。

7.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述第一上拉FinFET和所述第一传输门FinFET的源极区和漏极区包括外延区，并且所述外延区包括硅锗。

8.一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：

P阱区，位于所述SRAM单元中；

第一N阱区和第二N阱区，位于所述P阱区的相对侧；

第一半导体鳍，位于所述第一N阱区中；

第二半导体鳍，位于所述P阱区中；

第一栅电极，位于所述第一N阱区中，所述第一栅电极跨过所述第一半导体鳍以形成第一传输门场效应晶体管(FinFET)；以及

第二栅电极，延伸进入所述第一N阱区和所述P阱区，所述第二栅电极与所述第一半导体鳍一起形成第一上拉FinFET，并与所述第二半导体鳍一起形成第一下拉FinFET。

9.根据权利要求8所述的SRAM单元，进一步包括长接触插塞，所述长接触插塞将所述第一半导体鳍连接至所述第二半导体鳍，所述长接触插塞位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间且纵向平行于所述第一栅电极和所述第二栅电极。

10.一种静态随机存储器(SRAM)单元，包括：

第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET；

第一下拉FinFET和第二下拉FinFET，与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器；

第一传输门FinFET，连接至所述第一上拉FinFET和所述第一下拉FinFET的第一漏极；

第二传输门FinFET，连接至所述第二上拉FinFET和所述第二下拉FinFET的第二漏极，其中，所述第一传输门FinFET和所述第二传输门FinFET是P型FinFET；

第三上拉FinFET，其栅极连接至所述第二上拉FinFET和所述第二下拉FinFET的栅极；

第三传输门FinFET，与所述第三上拉FinFET级联；

P阱区，位于所述第一下拉FinFET和所述第二下拉FinFET下方；以及

第一N阱区和第二N阱区，位于所述P阱区的相对侧，其中，所述第一上拉FinFET和所述第一传输门FinFET位于所述第一N阱区中，并且所述第二上拉FinFET和所述第三上拉FinFET以及所述第二传输门FinFET和所述第三传输门FinFET位于所述第二N阱区中。