[发明专利]一种发光二极管制作方法有效
| 申请号： | 201310060263.7 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137800A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;缪炳有;陈起伟;邓觉为 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管制作方法，通过使p型辅助电极部分或者全部置于透明导电层之内，可有效的避免外界化学物质腐蚀底部接触层金属，也降低了p型辅助电极于透明导电层之上的高度，使得难以受到外力作用而发生损伤、脱落、断裂等情况。尤其当p型辅助电极的高度小于透明导电层内凹槽高度，或者小于凹槽高度与绝缘保护层厚度之和时，p型辅助电极将全部被绝缘保护层所包覆，大大增加了器件的可靠性。如此，也可以减小金属辅助电极的线宽，从而减小遮挡出光的面积，一定程度上增加了LED芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有n型半导体层、有源层和p型半导体层；在所述p型半导体层上形成透明导电层；刻蚀所述透明导电层形成形成第一凹槽；形成p型电极以及与p型电极电连接的p型辅助电极，所述p型辅助电极全部或者部分嵌入所述第一凹槽中。
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