[发明专利]一种发光二极管制作方法有效
| 申请号： | 201310060263.7 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137800A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;缪炳有;陈起伟;邓觉为 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种发光二极管制作方法，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有n型半导体层、有源层和p型半导体层；
在所述p型半导体层上形成透明导电层；
刻蚀所述透明导电层形成形成第一凹槽；
形成p型电极以及与p型电极电连接的p型辅助电极，所述p型辅助电极全部或者部分嵌入所述第一凹槽中。
2.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度小于或者等于所述透明导电层的厚度。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的宽度等于或者大于所述p型辅助电极的宽度。
4.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，刻蚀所述透明导电层形成形成第一凹槽的同时还形成第二凹槽，所述p型电极部分嵌入所述第二凹槽中。
5.如权利要求4所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度小于所述透明导电层的厚度。
6.如权利要求4所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的宽度等于或者大于p型电极的宽度。
7.如权利要求1或2所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化镍中的一种。
8.如权利要求1或2所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度为
9.如权利要求1或2所述的发光二极管制作方法，其特征在于，还包括在所述衬底和n型半导体层之间形成缓冲层。
10.如权利要求1或2所述的发光二极管制作方法，其特征在于，还包括刻蚀所述p型半导体层、有源层和部分厚度的n型半导体层，形成深度延伸至n型半导体层的开口，形成p型电极以及与p型电极电连接的p型辅助电极的同时在所述开口中形成n型电极。
11.如权利要求8所述的发光二极管制作方法，其特征在于，还包括在所述透明导电层上形成绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述p型辅助电极并暴露出所述p型电极和n型电极。
12.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述透明导电层为台阶状的透明导电层。
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