[发明专利]一种图形化金凸块的制作工艺无效
| 申请号： | 201310058369.3 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103117236A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 余家良 | 申请（专利权）人： | 江苏汇成光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种图形化金凸块的制作工艺，包括以下步骤：提供一集成电路晶片，所述集成电路晶片上设有键合块，所述键合块的一部分嵌入集成电路晶片；在集成电路晶片表面形成钝态保护层，键合块上的钝态保护层只去除一部分，键合块上的钝态保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定；在钝态保护层和键合块上沉淀金属层；在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块上的金属层；在键合块上的金属层上形成金凸块；除去光刻胶层；除去金凸块底部以外的金属层。通过上述方式，本发明能够使金凸块表面图形化，形成与导电粒子大小相近的凹槽，便于金凸块与导电粒子接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 化金凸块 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：a) 提供一集成电路晶片，所述集成电路晶片上设有键合块，所述键合块的一部分嵌入集成电路晶片；b) 在集成电路晶片表面形成钝态保护层，键合块上的钝态保护层只去除一部分，键合块上的钝态保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定；c) 在钝态保护层和键合块上沉淀金属层；d) 在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块上的金属层；e) 在键合块上的金属层上形成金凸块；f) 除去光刻胶层；g) 除去金凸块底部以外的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
