[发明专利]通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310042094.4 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103247600B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李镐珍;姜泌圭;李圭夏;朴炳律;郑显秀;崔吉铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体器件 下层 互连结构 连接结构 通孔结构 通孔 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其具有正面和与所述正面相对的背面；位于所述衬底的正面上的内部电路结构；位于所述内部电路结构上的正面焊盘；绝缘层，其在所述衬底的背面上；互连结构，其在所述绝缘层中；以及硅通孔结构，其穿透所述衬底，并且所述硅通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内，以使得所述互连结构包围所述硅通孔结构的顶端和部分侧表面，其中，所述内部电路结构包括单元器件和内部连接结构，所述内部连接结构中的至少一个将所述硅通孔结构电连接至所述正面焊盘，并且至少一个内部连接结构将所述硅通孔结构电连接至所述单元器件中的至少一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310042094.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
