[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310039917.8 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103151274A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈慈佑;凯·史提芬·艾希格;张凯文;博恩·卡尔·艾皮特 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例的半导体元件包括一基板、一晶粒、数个金属柱、一封胶材料及一图案化金属层。该基板具有数个第一接点及数个第二接点。该晶粒电性连接至该等第一接点。该等金属柱电性连接至该等第二接点。该封胶材料封装该晶粒及该等金属柱。该图案化金属层位于该封胶材料上，且电性连接至该等金属柱。藉此，该等金属柱做为内连接以达到微间距。在一方法的实施例中，该等金属柱利用独立于该基板及该晶粒的工艺所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：附着一晶粒至一基板，该基板包含数个接点，位于一上表面；形成数个金属柱于一载体；附着所述金属柱至所述接点：及封装该晶粒及所述金属柱，其中每一所述金属柱的一上表面显露于该封装体之外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
