[发明专利]半导体制造工艺及半导体结构有效
| 申请号： | 201310035113.0 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103426825A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 思尔希喜亚姆;海内克劳尔思 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造工艺及半导体结构，用于埋入式数字线存储器阵列。在半导体基板中形成第一沟渠。在第一沟渠的侧壁上形成衬层。在第一沟渠下方的基板中形成第二沟渠。在第二沟渠底部形成罩幕层。以衬层及罩幕层作为罩幕，进行等向性掺杂制造工艺，以仅在第二沟渠侧壁上的基底中形成数字侧接面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体制造工艺，用于具埋入式数字线的存储器阵列，其特征在于，所述半导体制造工艺包括：在半导体基板中形成第一沟渠；在所述第一沟渠的侧壁上形成衬层；在所述第一沟渠下方的该基板中形成第二沟渠；在所述第二沟渠底部形成罩幕层；以及以所述衬层及所述罩幕层作为罩幕，进行等向性掺杂制造工艺，以形成数字侧接面，所述数字侧接面仅位于所述第二沟渠的侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
