[发明专利]一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片

摘要

本发明属于芯片生产制备的技术领域，具体的涉及一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片。一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：（1）选取P型原硅片；（2）硼杂质扩散前预处理；（3）硼杂质扩散；（4）晶分/清洗；（5）磷杂质扩散；（6）晶分/清洗；（7）台面加工；（8）钝化前清洗；（9）钠离子的清洗；（10）玻璃钝化；（11）成品制作。该工艺简单易操作，由该工艺所制备的低压芯片漏电值低，满足低漏电的要求。

主权项

一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：（1）选取P型原硅片：选用电阻率为0.002～0.0037欧姆/厘米，厚度为290～340微米的P型原硅片；（2）硼杂质扩散前预处理：首先将步骤（1）所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；（3）硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1200～1300℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至500～600℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；（4）晶分/清洗：将步骤（3）完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；（5）磷杂质扩散：在200～400℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1200～1300℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至500～600℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型P/N结；（6）晶分/清洗：将步骤（5）完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；（7）台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀； （8）钝化前清洗：首先将完成步骤（7）的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在80～95℃下加热清洗10分钟；（9） 钠离子的清洗：将完成步骤（8）的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型P/N结处钠离子的清洗，清洗时间为30～60分钟； （10）玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；（11）成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。