[发明专利]阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310031145.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103165540A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 陈铭耀;陈培铭 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 李岩;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种阵列基板的制作方法,包括下列步骤。提供基板,其具有像素区域以及与像素区域邻接的周边区域。于像素区域形成多个像素结构,且像素结构至少其中之一的制造方法包括:于基板上形成栅极、栅极绝缘层、源极与漏极。于基板上形成图案化半导体层,其包括第一半导体图案与第二半导体图案,第一半导体图案对应于栅极并覆盖部分源极与漏极,而第二半导体图案则覆盖部分漏极。于基板上形成第一保护层,其具有第一开口暴露出部分第二半导体图案。于第一保护层上形成透明导电图案,且透明导电图案经由第一开口与第二半导体图案电性连接。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,包括:提供一基板,该基板上具有一像素区域以及与该像素区域邻接的一周边区域;形成多个像素结构于该像素区域中,其中该等像素结构至少其中之一的制造方法包括:于该基板上形成一图案化第一金属层、一栅极绝缘层以及一图案化第二金属层,其中该图案化第一金属层包括一栅极,该图案化第二金属层包括一源极与一漏极;于基板上形成一图案化半导体层,其中该图案化半导体层包括一第一半导体图案与一第二半导体图案,该第一半导体图案大体上对应于该栅极并覆盖部分该源极与该漏极,且该第二半导体图案覆盖部分的该漏极;于该基板上形成一第一保护层,其中该第一保护层中具有一第一开口,暴露出部分该第二半导体图案;以及于该第一保护层上形成一第一图案化透明导电层,其中该第一图案化透明导电层包括一透明导电图案,且该透明导电图案经由该第一开口与该第二半导体图案电性连接。
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