[发明专利]具有纳米管层的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310029975.2 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103227165B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·M·雷伯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 刘光明,穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种具有纳米管层的半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件（10）的方法包括在衬底上形成第一导电层（14、16）。在第一导电层上形成具有第一开口（20）的介电层（18）。在第一介电层上以及第一开口内沉积种层（22）。由来自第一介电层以及第一开口上的种层的导电纳米管（26）形成一层。在导电纳米管层上形成第二介电层（30）。在第一开口上的第二介电层内形成开口（32）。在第二开口内沉积导电材料（34、36）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的导电层；在所述导电层上的第一介电层，所述介电层具有第一开口；在所述介电层上的第一多个导电纳米管；在所述介电层内的所述第一开口上的第二多个导电纳米管；在所述第一多个导电纳米管和所述第二多个导电纳米管上的第二介电层，所述第二介电层具有在所述第二多个导电纳米管上的第二开口；以及在所述第二开口内的导电材料，穿过所述第二多个导电纳米管在所述导电层和所述导电材料之间形成电接触；其中所述第一多个导电纳米管自所述第一介电层延伸至第二介电层；所述第二多个导电纳米管自所述导电层延伸至所述导电材料。
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