[发明专利]氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管有效
| 申请号： | 201310027953.2 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103227191B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田中丈士;金田直树;成田好伸 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 钟晶,於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制电流崩塌的氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。氮化物半导体外延晶片（200）具备SiC基板（101）、形成在SiC基板（101）上的GaN层（103）和形成在GaN层（103）上的AlGaN层（104），GaN层（103）具有纤锌矿型的晶体结构，GaN层（103）的c轴方向的晶格常数c与GaN层（103）的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 外延 晶片 以及 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体外延晶片的制造方法，所述氮化物半导体外延晶片具备：基板、形成在所述基板上的GaN层、和形成在所述GaN层上的AlGaN层，所述GaN层具有纤锌矿型的晶体结构，所述GaN层的c轴方向的晶格常数c与所述GaN层的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下，所述氮化物半导体外延晶片的制造方法具有基板冷却工序：在形成所述GaN层之前，在H2/NH3气体混合氛围、且H2/NH3比≤4的条件下，将所述基板进行冷却。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310027953.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路及制造方法
- 下一篇：一种盐酸法舒地尔注射液组合物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
