[发明专利]半导体装置及其自动外观检查方法有效
申请号: | 201310027247.8 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103227123A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 吉见英章;石部真三;黑瀬英司 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置及其自动外观检查方法,通过自动外观检查装置适当地获得从半导体装置的端部向元件形成区域方向产生的崩边的大小,能够避免将外观良品判断为外观不良品的问题。该半导体装置具有:树脂层,除了围绕元件形成区域的护圈的多个局部部分以外,其从该元件形成区域延伸并覆盖至所述护圈上;崩边,从半导体装置的芯片端部向所述树脂层的前端部方向延伸。在该半导体装置中,以从所述树脂层局部露出的所述护圈的端部为基准,测量从端部至崩边的前端部的距离y以及至所述树脂层的前端部的距离x,如果y大于x,则判断为外观良品,如果y与x相等或y小于x,则判断为外观不良品。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 自动 外观 检查 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的自动外观检查方法,该所述半导体装置具有:护圈,其围绕元件形成区域;钝化膜,其从所述元件形成区域的表面延伸并覆盖在所述护圈上且在该护圈的外侧具有端部;钝化膜除去区域,其从所述钝化膜的端部延伸至所述半导体装置的端部;树脂层,其经由所述钝化膜从所述元件形成区域延伸并覆盖在除了所述护圈的与所述半导体装置的各端部并列的一个或多个局部区域以外的所述护圈上且在所述钝化膜除去区域具有前端部;崩边,其使所述钝化膜除去区域从所述半导体装置的端部向所述树脂层的前端部方向延伸;该半导体装置的自动外观检查方法的特征在于,以局部未被所述树脂层覆盖的所述护圈的端部为基准,测量该护圈端部与所述崩边前端部的距离y以及该护圈端部与所述树脂层前端部的距离x,如果y大于x,则判断为外观良品,如果y与x相等或y小于x,则判断为外观不良品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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