[发明专利]一种反熔丝结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310025834.3 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943669B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/49;H01L23/525;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝结构及其制备方法，所述方法包括半导体衬底；N阱，位于所述衬底中；多晶硅栅极，位于所述N阱上方的衬底上；高K介电层，位于所述多晶硅栅极和所述衬底之间；源漏掺杂区，位于所述栅极两侧的N阱中；N型掺杂区，位于所述源漏掺杂区外侧的N阱中。在本发明中所述N型栅极材料层和所述N阱用来降低所述反熔丝结构的编程电压，同时通过降低功函数来控制编程后电流的泄露。在本发明中采用高K多晶硅栅极，所述多晶硅栅极中的栅极区域不受金属栅极化学机械平坦化过程的限制，精确调整的栅极区域在设计时能够获得更加合适的编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种反熔丝结构，包括：半导体衬底；N阱，位于所述衬底中；多晶硅栅极，位于所述N阱上方的衬底上，所述栅极为N型掺杂，通过所述N型栅极和所述N阱来降低所述反熔丝结构的编程电压；高K介电层，位于所述多晶硅栅极和所述衬底之间；源漏掺杂区，位于所述栅极两侧的N阱中，所述源漏掺杂区的掺杂类型为N型；N型掺杂区，位于所述源漏掺杂区外侧的N阱中，所述N型掺杂区与所述源漏掺杂区间隔设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310025834.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于剥除树皮的甩打链条装置
- 下一篇：便于压持物料的木板钻孔机
- 同类专利
- 专利分类
