[发明专利]用于电流控制的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310024404.X | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103943679A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谢国宏;谢孟宪;黄胤富;钟淼钧 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电流控制的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：其中延伸自该源极接点的一第一金属层的一部分、延伸自该源极接点的一第二金属层的一部分、延伸自该漏极接点的该第一金属层的一部分、以及延伸自该漏极接点的该第二金属层的一部分的至少一个，配置位于栅极的一部分或甚至全部之上。本发明亦提供一种制造及使用这种半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电流 控制 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一源极区及一直径地对置的漏极区，该源极区具有一源极接点，且该漏极区具有一漏极接点；一栅极区，设置于该源极区与该漏极区之间，该栅极区具有一栅极；以及一或多个金属层，其中任何该一或多个金属层的一部分位于该栅极的至少一部分之上。
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