[发明专利]用于电流控制的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一源极区及一直径地对置的漏极区，该源极区具有一源极接点，且该漏极区具有一漏极接点；

一栅极区，设置于该源极区与该漏极区之间，该栅极区具有一栅极；以及

一或多个金属层，

其中任何该一或多个金属层的一部分位于该栅极的至少一部分之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中任何该一或多个金属层的另一部分位于该栅极的至少另一部分之上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极被该部分的一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极被该另一部分的另一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

5.一种半导体装置，包括：

一源极区及一直径地对置的漏极区，该源极区具有一源极接点，且该漏极区具有一漏极接点；

一栅极区，设置于该源极区与该漏极区之间，该栅极区具有一栅极；以及

至少一金属层，

其中该至少一金属层的任何一个或多个的一部分是延伸自该源极接点与该漏极接点其中之一或两者，且位于该栅极的至少一部分之上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该栅极被该部分的任何一个的一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、100％或更多的任何一个。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该栅极被延伸自该源极接点的一第一金属层的部分的一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该栅极被延伸自该源极接点的一第二金属层的部分的一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该栅极被延伸自该漏极接点的一第一金属层的另一部分的另一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该栅极被延伸自该漏极接点的一第二金属层的另一部分的另一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

11.一种制造一半导体装置的方法，包括：

提供一半导体，该半导体包括具有一栅极的一栅极区、具有一源极接点的一源极区、及具有一漏极接点的一漏极区；

于该半导体上形成一层间介电层；

刻蚀该层间介电层，以定义该源极接点与该漏极接点；

沉积遍及该层间介电层的一金属层，该金属层额外填入该源极接点与该漏极接点；以及

去除该金属层的一或多个部分，以定义一第一金属层，

其中该第一金属层的一部分是延伸自该源极接点与该漏极接点的至少一个，且位于该栅极的至少一部分之上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该栅极被该第一金属层的部分的一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。

13.根据权利要求11所述的方法，更包括：

于该半导体上形成另一层间介电层；

刻蚀该另一层间介电层，以定义一或多个接点；

沉积遍及该另一层间介电层的另一金属层；以及

去除该另一金属层的一或多个部分，以定义一第二金属层，

其中该第二金属层的一部分是延伸自该源极接点与该漏极接点的至少一个，且位于该栅极的至少一部分之上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该栅极被该第二金属层的部分的另一覆盖范围是介于0％至25％、至少25％、至少50％、至少75％、以及100％或更多的任何一个。