[发明专利]掺Mn的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜材料及其制备方法有效

申请号：	201310023716.9	申请日：	2013-01-22
公开（公告）号：	CN103936413A	公开（公告）日：	2014-07-23
发明（设计）人：	翟继卫;李伟;边延龙	申请（专利权）人：	同济大学
主分类号：	C04B35/475	分类号：	C04B35/475;C04B35/622
代理公司：	上海科盛知识产权代理有限公司 31225	代理人：	林君如
地址：	200092 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及一种掺Mn的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜材料及其制备方法，按0.95(0.8Bi_1/2Na_1/2TiO₃-0.2Bi_1/2K_1/2)TiO₃-0.05SrTiO₃(BNT-BKT-ST)+xmol％Mn，其中x＝0～1.0％，以硝酸铋、乙酸钠、乙酸钾、乙酸锶、乙酸锰、异丙醇钛、乙酸、乙二醇乙醚，用乙酰丙酮、氨水为原料，采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上旋转涂覆制备单一钙钛矿结构的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜，薄膜的压电系数可达93pm/V。本发明通过Mn掺杂降低钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜漏电流，提高耐压性，达到传统含铅压电薄膜的性能，在微执行器和驱动器中有较好的应用前景。
搜索关键词：	mn 钛酸铋纳钛酸铋钾钛酸锶三元压电薄膜材料及其制备方法
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【主权项】：

一种掺Mn的钛酸铋纳‑钛酸铋钾‑钛酸锶三元系压电薄膜材料，其特征在于，该薄膜材料的组分为：0.95(0.8Bi_1/2Na_1/2TiO₃‑0.2Bi_1/2K_1/2)TiO₃‑0.05SrTiO₃+x mol％Mn，其中0＜x≤1.0。

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申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C04B35/475
摘要：一种钛酸铋钠基三元系高温稳定的高介无铅陶瓷电容器材料及其制备方法，属于电子元器件技术领域。根据表达式(1‑x)(0.94Bi_0.5Na_0.5TiO₃‑0.06BaTiO₃)‑xNaNbO₃，x＝0.15，按照式中原子的摩尔比称取BaCO₃、Bi₂O₃、Na₂CO₃、TiO₂和Nb₂O₅；高温煅烧后，将制得的粉体研碎，然后球磨12h进行混合，烘干后研磨成粉状，以聚乙烯醇水溶液作粘结剂造粒，然后过80目筛压制成型，排出胶体，随后在高温炉空气气氛中烧结，升温速率为3℃/min；在1130℃‑1150℃温度范围内烧结，保温2h后，随炉自然冷却至室温。本发明操作方法简单，制备周期短，成本低，无毒环保。

一种高储能性能介质陶瓷、制备方法及其应用-201811532677.4
发明人：蒲永平;张磊;陈敏;李润;郭旭;师裕 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明提供了一种新的高储能性能介质陶瓷材料，其化学计量式为(1‑x)(0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃)‑x BaZrO₃。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将BaZrO₃添加到0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到(1‑x)(0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃)‑x BaZrO₃陶瓷样品((1‑x)(0.775NBT‑0.225BSN)‑x BZ陶瓷)。本发明提供的高储能性能介质陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的无铅的储能材料基体。

新型二元系K_0.5Bi_0.5TiO₃–BiMg_0.5Zr_0.5O₃无铅压电陶瓷材料及制备-201610035194.8
发明人：朱满康;胡彬彬;郭金键;郑木鹏;侯育冬;刘晶冰;王如志;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/475
摘要：新型二元系K_0.5Bi_0.5TiO₃–BiMg_0.5Zr_0.5O₃无铅压电陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。材料用通式(1‑x)K_0.5Bi_0.5TiO₃‑x BiMg_0.5Zr_0.5O₃(00.5Bi_0.5TiO₃‑0.01BiMg_0.5Zr_0.5O₃时有最大的d₃₃＝65pC/N。

一种Ti位Cu/Mo共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法-201910009100.3
发明人：郑鹏;李旭东;葛曌民;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/Mo共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/2Mo_1/2)_xO₁₂，其中04Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照1:1的摩尔比掺入一定比例的Cu、Mo，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d₃₃＝30pC/N，T_C＝678℃，在500℃时ρ＝3.54×10⁵Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。

一种Ti位Cu/W共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法-201910009551.7
发明人：郑鹏;李旭东;张栋格;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/W共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/2W_1/2)_xO₁₂，其中04Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照1:1的摩尔比掺入一定比例的Cu、W，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d₃₃＝34pC/N，T_C＝680℃，在500℃时，ρ＝1.52×10⁶Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。

一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法-201811504840.6
发明人：王根水;贾佳慧;郭少波;姚春华;曹菲;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明涉及一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述BNT基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃‑xBa(Ni_0.5Nb_0.5)O₃，其中0＜x≤0.04。

一种高击穿高极化钛酸铋钠陶瓷材料、制备方法及应用-201811534825.6
发明人：蒲永平;张磊;陈敏;史瑞科;郭旭;师裕;彭鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明提供了一种制备高击穿高极化钛酸铋钠陶瓷的新方法，通过球磨、烘干、微波煅烧、超声粉碎、过筛、冷等静压和微波烧结得到高击穿和高极化的Na_0.5Bi_0.5TiO₃陶瓷样品。本发明提供的陶瓷材料具有高的击穿强度和高的极化强度，且制备工艺简单，易于大规模生产，为制备高击穿和高极化陶瓷材料提供了新方法。

一种Ti位Cu/Ta共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料的制备方法-201811407299.7
发明人：郑鹏;李旭东;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/475
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/Ta共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料的制备方法，采用Bi₄Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照一定的摩尔比掺入Cu、Ta，采用固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/3Ta_2/3)_xO₁₂，其中033＝34pC/N，T_C＝677℃，在500℃时，ρ＝9.02×10⁶Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。

专利分类

C 化学；冶金

C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷
C04B35-00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物
C04B35-01 .以氧化物为基料的
C04B35-50 .以稀土化合物为基料的
C04B35-51 .以锕系化合物为基料的
C04B35-515 .以非氧化物为基料的
C04B35-622 .形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末

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[发明专利]掺Mn的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜材料及其制备方法有效

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