[发明专利]一种IGBT集电极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310008968.4 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103022099A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT的集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本发明还提出一种所述IGBT集电极结构的制备方法。本发明用于改善场截止型IGBT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 集电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT的集电极结构，包括N‑型基区(5)，其特征在于：还包括在N‑型基区(5)的背面形成的N+型缓冲层(6)和P+型集电极层(7)，所述N+型缓冲层(6)的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层(7)位于N+型缓冲层(6)的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。
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