[发明专利]混合鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310003122.1 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103383965A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混合鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括第一FinFET和第二FinFET。第一FinFET包括：由第一半导体鳍形成的第一沟道区以及第一导电类型的第一源极区和第一漏极区。第二FinFET包括由第二半导体鳍形成的第二沟道区、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二源极区以及第一导电类型的第二漏极区。第二源极区和第二漏极区连接至第二沟道区的相对端部。第一栅电极和第二栅电极互连。第一源极区和第二源极区电互连。第一漏极区和第二漏极区电互连。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：第一沟道区，由第一半导体鳍形成；第一栅极绝缘体，位于所述第一沟道区的侧壁上；第一栅电极，位于所述第一栅极绝缘体上方；以及第一源极区和第一漏极区，连接至所述第一沟道区的相对端部，其中，所述第一源极区和所述第一漏极区为第一导电类型；以及第二FinFET，包括：第二沟道区，由第二半导体鳍形成；第二栅极绝缘体，位于所述第二沟道区的侧壁上；第二栅电极，位于所述第二栅极绝缘体上方，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极互连；第二源极区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中，所述第一源极区和所述第二源极区电互连；以及第二漏极区，具有所述第一导电类型，其中，所述第二源极区和所述第二漏极区连接至所述第二沟道区的相对端部，并且所述第一漏极区和所述第二漏极区电互连。
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