[发明专利]混合鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

第一沟道区，由第一半导体鳍形成；

第一栅极绝缘体，位于所述第一沟道区的侧壁上；

第一栅电极，位于所述第一栅极绝缘体上方；以及

第一源极区和第一漏极区，连接至所述第一沟道区的相对端部，其中，所述第一源极区和所述第一漏极区为第一导电类型；以及第二FinFET，包括：

第二沟道区，由第二半导体鳍形成；

第二栅极绝缘体，位于所述第二沟道区的侧壁上；

第二栅电极，位于所述第二栅极绝缘体上方，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极互连；

第二源极区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中，所述第一源极区和所述第二源极区电互连；以及

第二漏极区，具有所述第一导电类型，其中，所述第二源极区和所述第二漏极区连接至所述第二沟道区的相对端部，并且所述第一漏极区和所述第二漏极区电互连。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极是连续栅电极的部分，并且所述器件进一步包括：

公共源极接触件，互连所述第一源极区和所述第二源极区；以及

公共漏极接触件，互连所述第一漏极区和所述第二漏极区。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括包含半导体材料的沟道分离件，其中，所述第一沟道区和所述第二沟道区与所述沟道分离件的相对侧壁接触，并且所述沟道分离件由与所述第一沟道区和所述第二沟道区的材料不同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的器件：

其中，所述第一FinFET进一步包括：

第一沟道分离件；和

第三源极区，所述第一源极区和所述第三源极区与所述沟道分离件的相对侧面接触，并且所述第三源极区为所述第一导电类型；以及其中，所述第二FinFET进一步包括：

第二沟道分离件；以及

第四源极区，所述第二源极区和所述第四源极区与所述第二沟道分离件的相对侧壁接触，并且所述第四源极区为所述第二导电类型。

5.一种混合鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

鳍，包括：

沟道分离件，具有第一带隙；和

沟道，包括位于所述沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分，所述沟道具有不同于所述第一带隙的第二带隙；

漏极，包括第一导电类型的第一部分和第二部分；以及

源极，包括：

所述第一导电类型的第一部分，所述源极的第一部分和所述漏极的第一部分位于所述沟道分离件的第一侧上并且连接至所述沟道的第一部分的相对端部；以及

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二部分，所述源极的第二部分和所述漏极的第二部分位于所述沟道分离件的与所述第一侧相对的第二侧上并且连接至所述沟道的第二部分的相对端部。

6.根据权利要求5所述的混合FinFET，进一步包括：

栅电极，包括位于所述鳍的相对侧上的第一部分和第二部分；以及

栅极绝缘体，包括位于所述栅电极的第一部分和所述沟道的第一部分之间的第一部分以及位于所述栅电极的第二部分和所述沟道的第二部分之间的第二部分。

7.根据权利要求5所述的混合FinFET，进一步包括：

源极接触件，电连接至所述源极的第一部分和第二部分；以及

漏极接触件，电连接至所述漏极的第一部分和第二部分。