[发明专利]用于合成石墨烯的薄金属膜及利用其的石墨烯制造方法有效
申请号: | 201280058356.X | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103958730A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 尹锺赫;罗德和;宋荣日;元栋观 | 申请(专利权)人: | 三星泰科威株式会社 |
主分类号: | C23C16/06 | 分类号: | C23C16/06;C01B31/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种将用于合成石墨烯的催化金属的铜基薄金属膜以及利用其的石墨烯制造方法,该铜基薄金属膜包括银0.001wt%至0.05wt%。 | ||
搜索关键词: | 用于 合成 石墨 金属膜 利用 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种将用于合成石墨烯的催化金属的铜基薄金属膜,所述铜基薄金属膜包含0.001wt%至0.05wt%的银。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的