[发明专利]用于合成石墨烯的薄金属膜及利用其的石墨烯制造方法

权利要求书

1.一种将用于合成石墨烯的催化金属的铜基薄金属膜，所述铜基薄金属膜包含0.001wt％至0.05wt％的银。

2.根据权利要求1所述的铜基薄金属膜，其中，所述铜基薄金属膜中的每个铜颗粒的平均尺寸为至少20μm。

3.根据权利要求1所述的铜基薄金属膜，其中，所述铜基薄金属膜包含从硫(S)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、铅(Pb)和锡(Sn)中选择的至少一种元素以及氧。

4.根据权利要求3所述的铜基薄金属膜，其中，所包含的氧的量为0.01wt％至0.05wt％。

5.根据权利要求3所述的铜基薄金属膜，其中，所包含的从S、As、Sb、Bi、Se、Te、Pb和Sn中选择的至少一种元素的量等于或小于0.003wt％。

6.根据权利要求1所述的铜基薄金属膜，其中，所述铜基薄金属膜的厚度为5μm至75μm。

7.根据权利要求1所述的铜基薄金属膜，其中，所述铜基薄金属膜中的80％或更多的铜颗粒存在于(100)平面上。

8.根据权利要求1所述的铜基薄金属膜，其中，所述铜基薄金属膜通过压延来制造。

9.一种制造石墨烯的方法，所述方法包括：

制备铜基薄金属膜，所述铜基薄金属膜包含0.001wt％至0.05wt％的银并且其中每个铜颗粒的平均尺寸为至少20μm；以及

通过提供热并使包含碳的反应气体与铜基薄金属膜反应，在铜基薄金属膜上生长石墨烯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，铜基薄金属膜的厚度为5μm至75μm。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，铜基薄金属膜中的80％或更多的铜颗粒存在于同一表面上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述同一表面是(100)平面。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，铜基薄金属膜包含从硫(S)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、铅(Pb)和锡(Sn)中选择的至少一种元素以及氧。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所包含的氧的量为0.01wt％至0.05wt％。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所包含的从S、As、Sb、Bi、Se、Te、Pb和Sn中选择的至少一种元素的量等于或小于0.003wt％。