[发明专利]Ga2O3系半导体元件有效
| 申请号： | 201280043335.0 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103765593B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;独立行政法人情报通信研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 徐谦,张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高品质的Ga2O3系半导体元件。作为一个实施方式，提供Ga2O3系半导体元件（20），包含n型β‑Ga2O3基板（2），在n型β‑Ga2O3基板（2）上形成的β‑Ga2O3单晶膜（3），在β‑Ga2O3单晶膜（3）上形成的源电极（22a）、（22b），在n型β‑Ga2O3基板（2）的与β‑Ga2O3单晶膜（3）相反侧的面上形成的漏电极（25），在β‑Ga2O3单晶膜（3）中形成的连接源电极（22a）、（22b）的n型接触区域（23a）、（23b），以及在β‑Ga2O3单晶膜（3）上介由栅极绝缘膜（26）形成的栅电极（21）。 | ||
| 搜索关键词： | ga2o3 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种Ga2O3系场效应晶体管(FET)，包括：具有第1导电型的β‑Ga2O3基板，位于所述β‑Ga2O3基板上的、具有所述第1导电型的β‑Ga2O3单晶膜，位于所述β‑Ga2O3单晶膜上的第1源电极和第2源电极，位于所述β‑Ga2O3基板的与所述β‑Ga2O3单晶膜位于的面相反侧的面上的漏电极，以及介由栅极绝缘膜位于所述β‑Ga2O3单晶膜上的所述第1源电极与所述第2源电极之间的区域的栅电极，所述β‑Ga2O3单晶膜包含：分别位于所述第1源电极和所述第2源电极下的第1接触区域和第2接触区域，以及分别包围所述第1接触区域和所述第2接触区域的、具有与所述第1导电型不同的第2导电型的第1主体区域和第2主体区域，所述β‑Ga2O3基板以从(100)面仅旋转50°～90°的角度的面为主面。
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