[发明专利]碳化硅单晶制造设备在审
| 申请号： | 201280037766.6 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103732808A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 原一都 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/10;C30B25/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶制造设备，其包括真空室(6)、设置晶种(5)的台座(9)、源气(3)的入口(2)、从所述真空室(6)的底面朝着所述台座(9)延伸的反应室(7)、围绕所述反应室(7)的外周设置的第一加热装置(13)、围绕所述台座(9)的外周设置的第二加热装置(14)、设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧的出口(4)。在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，并通过所述出口(4)排出。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 设备 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶制造设备，所述设备包括：真空室(6)；台座(9)，由碳化硅单晶基底制成的晶种(5)设置在所述台座上，所述台座(9)设置在所述真空室(6)中；入口(2)，所述入口设置在所述真空室(6)的底面上并从所述晶种(5)的下方引入碳化硅的源气(3)；反应室(7)，所述反应室从所述真空室(6)的底面朝着所述真空室(6)中的所述台座(9)延伸，所述反应室(7)包括具有中空部分的圆柱形构件，所述源气(3)穿过所述中空部分，所述反应室(7)通过加热使所述源气(3)分解并将分解的源气(3)朝着所述晶种(5)供应；第一加热装置(13)，所述第一加热装置围绕所述反应室(7)的外周设置并加热所述反应室(7)；第二加热装置(14)，所述第二加热装置围绕所述台座(9)的外周设置，并保持在所述晶种(5)的表面上生长的碳化硅单晶(20)的生长表面的高温；出口(4)，所述出口设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧，并排出所述源气(3)中的未反应气体，其中在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气(3)在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，流到所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧，并通过所述出口(4)排出。
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