[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）。直接在碳化硅衬底（90）的表面（SO）上形成由第一材料制成的涂覆膜（50）。在涂覆膜（50）上形成由第二材料形成的掩膜层（31）。与第二材料相比，第一材料具有与碳化硅更高的粘附性。在该掩膜层（31）中形成第一开口（P1）。借助穿过掩膜层（31）中的第一开口（P1）并且也穿过涂覆膜（50）的离子束（J1），将用于提供第一导电类型的第一杂质离子注入到碳化硅衬底（90）。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）；直接在所述碳化硅衬底的所述表面上形成由第一材料制成的涂覆膜（50）；在所述涂覆膜上形成由第二材料制成的掩膜层（31），所述第一材料与碳化硅的粘附性比所述第二材料与碳化硅的粘附性高；在所述掩膜层中形成第一开口（P1）；以及通过使用下述离子束（J1），将用于提供第一导电类型的第一杂质离子注入到所述碳化硅衬底中，其中，所述离子束穿过所述掩膜层中的所述第一开口并且穿过所述涂覆膜。