[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）；

直接在所述碳化硅衬底的所述表面上形成由第一材料制成的涂覆膜（50）；

在所述涂覆膜上形成由第二材料制成的掩膜层（31），所述第一材料与碳化硅的粘附性比所述第二材料与碳化硅的粘附性高；

在所述掩膜层中形成第一开口（P1）；以及

通过使用下述离子束（J1），将用于提供第一导电类型的第一杂质离子注入到所述碳化硅衬底中，其中，所述离子束穿过所述掩膜层中的所述第一开口并且穿过所述涂覆膜。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

注入第一杂质离子的所述步骤包括加热所述碳化硅衬底的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

注入第一杂质离子的所述步骤是在下述条件下进行的，所述条件使得在厚度方向上的所述第一杂质离子的浓度分布（PF）在所述碳化硅衬底的所述表面处是平坦的。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括：在形成涂覆膜的所述步骤之后且在注入第一杂质离子的所述步骤之前，在所述涂覆膜上形成第一阻挡膜（61a至61c）的步骤，所述第一阻挡膜由阻挡所述离子束的能力比所述第一材料高的材料制成。

5.根据权利要求4所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

在形成第一开口的所述步骤之后，执行形成第一阻挡膜（61a）的所述步骤。

6.根据权利要求4所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

在形成掩膜层的所述步骤之前，执行形成第一阻挡膜（61b）的所述步骤，并且

所述方法进一步包括：在形成第一阻挡膜的所述步骤之后且在形成掩膜层的所述步骤之前，形成由与所述第二材料不同的材料制成的蚀刻停止层（70）的步骤。

7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

在形成第一开口的所述步骤中，在所述掩膜层中形成具有第一底表面和第一侧壁（S1）的所述第一开口，并且

所述方法进一步包括以下步骤：

在注入第一杂质离子的所述步骤之后，通过在所述第一底表面和所述第一侧壁上形成间隔层（32），来形成具有所述掩膜层和所述间隔层的掩膜部分（30）；

通过利用各向异性地蚀刻所述第一开口中的所述间隔层，来移除所述第一底表面上的所述间隔层并允许保留所述第一侧壁上的所述间隔层，来在所述掩膜部分中形成具有第二底表面和第二侧壁（S2）的第二开口；以及

通过使用穿过所述第二开口的离子束（J2），将用于提供与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二杂质离子注入到所述碳化硅衬底中。

8.根据权利要求7所述的制造碳化硅半导体器件的方法，在形成第二开口的所述步骤之后且在注入第二杂质离子的所述步骤之前，进一步包括在所述第二开口的所述第二底表面上形成第二阻挡膜（62）的步骤。

9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述第二材料是氧化硅。

10.根据权利要求1至9中的任何一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中

所述第一材料是钛、多晶硅和氮化硅中的任何一种。