[发明专利]功率半导体模块在审
| 申请号： | 201280034222.4 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103650137A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 三木隆义;中山靖;大井健史;多田和弘;井高志织;长谷川滋;小林知宏;中岛幸夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，具备Si半导体元件和宽能带隙半导体元件，其特征在于，所述Si半导体元件配置于所述功率半导体模块的中央区域，所述宽能带隙半导体元件配置于所述中央区域的两侧或者包围所述中央区域的周边部。
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