[发明专利]使用热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室清洁基板表面的方法有效
| 申请号： | 201280027578.5 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103597581A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 苏克蒂·查特吉;朴廷元 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/302;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此提供用于使用热丝化学气相沉积（HWCVD）腔室清洁基板的表面的方法。在一些实施方式中，用于清洁基板的表面的方法可包括以下步骤：提供基板至热丝化学气相沉积（HWCVD）腔室，该基板具有布置在该基板的表面上的材料；提供氢（H2）气至该HWCVD腔室；加热布置在该HWCVD腔室中的一个或多个灯丝至足以解离该氢（H2）气的温度；及将该基板暴露至解离的氢（H2）气以从该基板的表面移除至少一些该材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化学 沉积 hwcvd 清洁 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种用于清洁基板的表面的方法，所述方法包含以下步骤：提供基板至热丝化学气相沉积（HWCVD）腔室，所述基板具有布置在所述基板的表面上的材料；提供氢（H2）气至所述HWCVD腔室；将布置在所述HWCVD腔室中的一个或更多个灯丝加热至足以解离所述氢（H2）气的温度；及将所述基板暴露至解离的所述氢（H2）气以从所述基板的所述表面移除至少一些所述材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280027578.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种人参、西洋参重茬连作种植方法
- 下一篇：一种热成型和硬化钢板坯料的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
