[发明专利]苝四甲酰二亚胺衍生物、n-型半导体、n-型半导体的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供可形成具有高载流子迁移率的n-型半导体且溶解性优异的苝四甲酰二亚胺衍生物。一种特征在于用下述化学式(I)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐。前述化学式(I)中，R¹～R⁶分别为氢原子、有机低聚硅氧烷、或任意取代基，至少一个为衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基，L¹和L²分别为单键或连接基团，R⁷～R¹⁰分别为低级烷基或卤素，o、p、q和r分别为0～2的整数。

主权项

1.一种苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐，其特征在于，所述苝四甲酰二亚胺衍生物用下述化学式(I)表示，所述化学式(I)中，R¹～R⁶分别为氢原子、衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基、或任意取代基，可以相同也可以不同，R¹～R⁶中的至少一个为衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基，所述有机低聚硅氧烷还可以具有或不具有取代基，R⁷～R¹⁰分别为低级烷基、低级烷氧基或卤素，可以相同也可以不同，L¹和L²分别为单键或连接基团，可以相同也可以不同，o、p、q和r为取代数，分别为0～2的整数，可以相同也可以不同，o为2时两个R⁷可以相同也可以不同，p为2时两个R⁸可以相同也可以不同，q为2时两个R⁹可以相同也可以不同，r为2时两个R¹⁰可以相同也可以不同。