[发明专利]半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法有效
申请号: | 201280021323.8 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103503112A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 井上巧一;前田和良;涩谷纪仁 | 申请(专利权)人: | 新东工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。该弯曲矫正装置具备:喷射机构,其包含进行喷射处理的喷嘴;吸附台,其在主面侧或成膜面侧吸附并保持半导体元件用基板;移动机构,其按照使半导体元件用基板相对于由喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式使吸附台移动;喷射处理室,其收容被保持于吸附台的半导体元件用基板,且在内部进行喷射处理;测定机构,其测定半导体元件用基板的弯曲;及控制装置,其基于目标弯曲量与由测定机构测定出的弯曲量之差,进行喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 用基板 弯曲 矫正 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元件用基板的弯曲矫正装置,对半导体元件用基板的弯曲进行矫正,该半导体元件用基板的弯曲矫正装置具备:喷射机构,其具有进行向所述半导体元件用基板中的主面的相反侧或成膜面的相反侧亦即背面喷射喷射材料的喷射处理的喷嘴;吸附台,其吸附所述半导体元件用基板的主面或成膜面来保持所述半导体元件用基板;移动机构,其按照使得所述半导体元件用基板相对于由所述喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域相对移动的方式来使所述吸附台移动;喷射处理室,其收容被保持于所述吸附台的所述半导体元件用基板,并且在内部进行喷射处理;测定机构,其测定所述半导体元件用基板的弯曲量;以及控制装置,其基于预先设定的目标弯曲量与由所述测定机构测定出的所述半导体元件用基板的弯曲量之差,进行所述喷射机构的喷射处理条件的设定处理以及已进行了喷射处理的所述半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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