[发明专利]液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途有效
| 申请号： | 201280019617.7 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103492530A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | V·雷芬拉特;C·雅斯佩;D·鲍鲁斯;真边笃孝 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K19/18 | 分类号： | C09K19/18;G02F1/13;H01P1/18;C07C25/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及式(I)所示的化合物， |
||
| 搜索关键词： | 液晶 介质 化合物 及其 用于 高频 组件 用途 | ||
【主权项】：
1.式I所示化合物，![]()
其中，R1表示具有1至15个C原子的支链或非支链烷基或者具有2至15个C原子的支链或非支链烯基，其中，在这些基团中的一个或多个不相邻的“-CH2-”基团也可以被-O-替代和/或一个或多个H原子可以被卤素原子替代；X1表示F，Cl，氟代的具有1至4个C原子的烷基，氟代的具有1至4个C原子的烷氧基，氟代的具有2至4个C原子的烯基，氟代的具有2至4个C原子的烯氧基，CN，NCS或SF5；L11和L13各自彼此独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链烷基，具有2至12个C原子的支链或非支链烯基或炔基，其中，在这些基团中的一个或多个不相邻“-CH2-”基团也可以被-O-替代；取代的或未取代的环烷基，环烯基；取代或未取代的苯基；取代或未取代的芳基乙炔基；可选择地，L13还表示H；L12和L14各自彼此独立地表示F，Cl，CN，具有1至12个C原子的支链或非支链烷基，具有2至12个C原子的支链或非支链烯基或炔基，其中，在这些基团中的一个或多个不相邻“-CH2-”基团也可以被-O-替代；取代的或未取代的环烷基，环烯基；取代或未取代的苯基；取代或未取代的芳基乙炔基；各自具有1至12个C碳原子的氟代的烷基或氟代的烷氧基；各自具有2至12个C碳原子的氟代的烯基或氟代的烯氧基；可选择地，L14还表示H；![]()
![]()
在每次出现时，彼此独立地表示芳香环体系或芳香杂环体系如1,4-亚苯基，1,4-亚萘基，2,6-亚萘基，1,4-亚蒽基，2,6-亚蒽基，2,7-亚芘基，2,7-亚菲基，其中，一个或两个“CH”基团也可以被N替代，其中环体系还可以被取代基L11任意取代；或者表示脂环体系如1,4-亚环己基，其中，一个或两个不相邻的“CH2”基团也可以被-O-和/或-S-替代；1,4-亚环己烯基或1,4-亚二环辛基；Z11在每次出现时彼此独立地表示单键，-C≡C-，-CF=CF-，-CH=CH-，-OCF2-，-CH2-CH2-或-OCH2-；n表示0至3范围内的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于默克专利股份有限公司，未经默克专利股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280019617.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 液晶组合物、混合物、元件和可调光器件-201780035682.1
- 萨扎杜尔·拉曼·汗;郑世俊 - 日东电工株式会社
- 2017-04-13 - 2019-03-01 - C09K19/18
- 本文描述了液晶组合物，其能够允许通过施加电场来调节其折射率。本文还描述了含有这些组合物的液晶混合物。此外，还描述了使用这些组合物的可选择性调光的反向模式聚合物分散液晶(PDLC)元件和器件，其在未施加电压或施加低电压时是透明的，在施加电压或高电压时是不透明的。
- 一种高双折射率液晶化合物及其制备方法以及其组合物-201710252675.9
- 安忠维;李娟利;彭增辉;李建;胡明刚;张璐;车昭毅;杨志;莫玲超;杨晓哲 - 西安近代化学研究所;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2017-04-18 - 2019-02-12 - C09K19/18
- 本发明公开了一种高双折射率液晶化合物及其制备方法，以及含此化合物的组合物。液晶化合物的结构如通式(Ⅰ)所示：
其中X1、X2、X3为H或F，R为碳原子数为2～5的直链烯基或碳原子数为2～5的氟代烯基中的一种。液晶组合物包括小于等于40％且不为零的通式Ⅰ所示的化合物、1％～40％的通式Ⅱ所示化合物、1％～30％的通式Ⅲ所示化合物和2％～50％的通式Ⅳ所示化合物。
其中，R1、R2、R3分别是碳原子数为1～7的烷基、碳原子数为1～7的烷氧基或碳原子数为1～5的氟代烷氧基中的一种；X4～X9分别是‑H或‑F。本发明既具有高双折率又具有低旋转粘度的优点，适用于空间光调制器、激光探测器以及3D显示等领域。
- 炔基二苯乙炔、包含其的液晶混合物和用于高频技术的组件-201480046608.6
- C·雅斯佩;C·布罗克;D·保卢斯;V·雷芬拉特;A·曼那贝 - 默克专利股份有限公司
- 2014-08-11 - 2018-11-16 - C09K19/18
- 本发明涉及式I的化合物
其中参数各个具有在说明书中给出的含义，涉及其用于高频组件的用途，涉及包含所述化合物的液晶介质，并涉及包含这些介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围。液晶介质例如用于可调谐的“相控阵”天线的微波的相移。
- 用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件-201510902685.3
- 真边笃孝;C·雅斯佩;V·赖芬拉特;E·蒙特内格罗;D·保卢特;D·克拉斯 - 默克专利股份有限公司
- 2012-03-07 - 2018-05-29 - C09K19/18
- 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成
其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
- 液晶介质和包含其的高频组件-201280063201.5
- A·曼那贝;C·雅斯佩;V·赖芬拉特;C·布罗克;D·保卢斯;D·克拉斯 - 默克专利股份有限公司
- 2012-12-10 - 2017-07-14 - C09K19/18
- 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件例如用于微波移相的器件的微波组件。
- 具有C‑C三键的化合物及其在液晶混合物中的用途-201380048940.1
- C·布罗克;C·雅斯佩;D·鲍鲁斯;A·曼那贝 - 默克专利股份有限公司
- 2013-09-03 - 2017-06-16 - C09K19/18
- 本发明涉及具有至少一个C‑C三键的式I的化合物其具有中性介电各向异性，还涉及其在高频组件中的用途，涉及包含所述化合物的液晶介质，和涉及包含这些介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫兹和太赫范围的。这些液晶介质例如适用于可调谐“相控阵”天线的微波相位移。
- 液晶组合物及液晶显示元件-201580021426.8
- 冈部英二 - 捷恩智株式会社;捷恩智石油化学株式会社
- 2015-01-21 - 2016-12-14 - C09K19/18
- 本发明提供一种液晶组合物，其在向列相的高上限温度、向列相的低下限温度、大的光学各向异性、大的正介电常数各向异性、对紫外线的高稳定性等特性中，充分满足至少一种特性，或关于至少两种特性具有适当的平衡。本发明提供一种含有此种组合物的液晶显示元件，特别是内包此种组合物于胶囊中的液晶显示元件，及成为可进行2D/3D间的切换显示的显示元件的构成要素的液晶显示元件。所述液晶组合物含有作为第一成分的具有大的光学各向异性的特定化合物、及作为第二成分的具有大的正介电常数各向异性的特定化合物，并含有作为第三成分的具有大的光学各向异性且更具有高上限温度或低下限温度的特定化合物。所述液晶显示元件含有所述组合物。
- 液晶化合物及其制备方法、液晶组合物和液晶显示面板-201580000028.8
- 丁兴立 - 北京欣奕华科技有限公司
- 2015-01-23 - 2016-10-19 - C09K19/18
- 本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种液晶化合物及其制备方法、一种液晶组合物和一种液晶显示面板。所述液晶化合物的结构式如式I所示，该液晶化合物为4‑(4,4‑二氟‑3‑丁烯基)苯类的化合物，通过加入不同的桥基Z1和Z2、环A和环B以及末端基团R1，提高了包含该液晶化合物的液晶组合物的清亮点，并且降低了液晶组合物的粘度，进而拓宽液晶显示面板的应用范围。
- 通过接触氢还原进行的制造方法-201510440966.1
- 林正直;东条健太;楠本哲生 - DIC株式会社
- 2015-07-24 - 2016-02-03 - C09K19/18
- 本申请发明所要解决的课题在于，提供用于获得负的Δε大且Δn大的液晶化合物的、通过接触氢还原进行的制造方法、对该制造方法有用的中间体和制造物。用于解决上述课题的方法是，本发明是通过对通式(i)所表示的具有-CH＝CH-或-C≡C-作为连接基团的化合物进行接触氢还原来进行的通式(ii)所表示的化合物的制造方法，提供作为该制造方法中的有用的中间体的通式(i)所表示的化合物和通式(ii)所表示的化合物。
- 一种具有高双折射率和宽向列相温度区间的液晶化合物及其组合物-201410528389.7
- 安忠维;李娟利;李建;莫玲超;杨晓哲;车昭毅;胡明刚;杨志;张璐;武斌 - 西安近代化学研究所
- 2014-10-09 - 2015-01-07 - C09K19/18
- 本发明公开了一种具有宽向列相温度区间和高双折射率的液晶化合物及其组合物，液晶化合物的结构为通式Ⅰ所示的化合物；液晶组合物包括小于等于55％且不为零的通式Ⅰ所示化合物、5％～75％的通式Ⅱ所示的化合物、5％～25％的通式Ⅲ所示的化合物和5％～60％的通式Ⅳ所示的化合物。该液晶化合物既具有低熔点、高清亮点、高双折射率又具良好的低温相溶性的优点；含有该液晶化合物的液晶组合物具有很宽的向列相温度区间和高的双折射率，适用于3D显示、光学位相调制器和红外探测器件等领域。
其中R1～R4为碳数1～9的直链烷烃，X1～X9为-F或-H，且其中至少一个为-F。
- 含氟双二苯乙炔类向列型负性液晶、合成方法及应用-201410392432.1
- 闻建勋;崔桅龙;曹秀英;赵敏;李继响 - 福建省邵武市永晶化工有限公司;上海天问化学有限公司
- 2014-08-11 - 2014-12-10 - C09K19/18
- 本发明涉及一种含氟双乙炔类的负性液晶、合成方法和用途，其结构式如下：其中，R＝C1-C8的正烷基。系在负性液晶分子中导入2,3,5,6-四氟亚苯基基团，利用三键为桥键连接，形成含有2,3,5,6-四氟亚苯基的负性液晶。由于导入非极性的四氟亚苯基和双炔有利于提高响应速度、电阻率以及化学稳定性和折射率差高。该系列液晶都是单变的向列相液晶，不存在近晶相。可以用于制备负性和具有高折射率差和低粘度的液晶化合物材料。
- 一种含氟联苯乙炔类液晶化合物及其制备方法-201410347451.2
- 安忠维;李建;李娟利;杨晓哲;车昭毅;胡明刚;武斌;杨志;莫玲超 - 西安近代化学研究所
- 2014-07-21 - 2014-10-08 - C09K19/18
- 本发明公开了一种含氟苯乙炔类液晶化合物及其制备方法，其结构通式如(1)所示：
其中R为碳数1～9的直链烷烃，X1，X2，X3，X4＝H或F，且X3，X4至少其一为F。本发明具有双折射率高、熔点低、粘度低、介电各向异性大的优点，适合于液晶显示、激光通讯等应用领域。
- 一种三氟甲氧基端取代二芳基乙炔类液晶化合物及其合成方法-201410347415.6
- 安忠维;胡明刚;莫玲超;李建;李娟丽;杨志;车昭毅;杨晓哲;杨诚 - 西安近代化学研究所
- 2014-07-21 - 2014-10-08 - C09K19/18
- 本发明公开了三氟甲氧基端取代二芳基乙炔类液晶化合物及其合成方法，其结构通式如(1)所示：
其中F(x)、F(y)均表示苯环上任意位置氟原子取代，x、y表示氟原子的取代个数，其取值为0～4。本发明具有中红外透过率高、液晶相范围宽及双折射率大的优点，可用于中红外液晶光调制器件。
- 一种用于制冷剂的液晶混合物-201410336316.8
- 苗宗成;赵阳;张永明;金哲珺雨 - 西京学院
- 2014-07-15 - 2014-10-08 - C09K19/18
- 一种用于制冷剂的液晶混合物，组成包括：至少一种式Ⅰ化合物
至少一种式Ⅱ化合物
至少一种式Ⅲ化合物
以及至少一种式Ⅳ化合物
式中R为C6～C9的直链烷烃，其制备方法是将选定的式Ⅰ～Ⅳ化合物按照相应的质量份配比加入到圆底烧瓶中，搅拌均匀，即获得用于制冷剂的液晶混合物，该混合物具有粘度低、介电各向异性大、电场响应快等优越性能，具有良好的制冷效果，在电场作用下可产生3.95～8.52K的最大绝热制冷温度。
- 一种高双折射率液晶化合物及其组合物-201410347453.1
- 安忠维;李娟利;李建;胡明刚;莫玲超;杨晓哲;车昭毅;杨志;张璐 - 西安近代化学研究所
- 2014-07-21 - 2014-10-08 - C09K19/18
- 本发明公开了一种高双折射率液晶化合物及含此化合物的液晶组合物。液晶化合物是通式Ⅰ所示的化合物；液晶组合物包括小于等于30％且不为零的通式Ⅰ所示化合物、5％～30％的通式Ⅱ所示化合物、5％～30％的通式Ⅲ所示化合物和5％～50％的通式Ⅳ所示化合物。本发明既具有高双折射率、低粘度、高的品质因子和好的化学稳定性，又具有与其它液晶组分相溶性好的优点；含有该液晶化合物的液晶组合物具有较高的双折射率、较低的旋转粘度和快速响应特性，适合用于液晶器件，尤其适用于液晶光学位相调制器。
- 液晶介质和包含其的高频组件-201280047064.6
- 真边笃孝;C·贾斯伯;V.雷芬拉斯;C·布罗克;D.保鲁斯;D·克拉斯 - 默克专利股份有限公司
- 2012-09-07 - 2014-06-04 - C09K19/18
- 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件的微波组件，例如用于微波移相、特别是用于微波“相控阵”天线的器件。
- 介晶化合物、液晶介质和用于高频技术的部件-201280014513.7
- 真边笃孝;D·克拉斯;C·雅斯佩;V·赖芬拉特;D·保卢特 - 默克专利股份有限公司
- 2012-02-28 - 2014-04-02 - C09K19/18
- 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA（IA）的化合物组成，其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别是适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，和非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
- 液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途-201280019617.7
- V·雷芬拉特;C·雅斯佩;D·鲍鲁斯;真边笃孝 - 默克专利股份有限公司
- 2012-03-28 - 2014-01-01 - C09K19/18
- 本发明涉及式(I)所示的化合物，
其用于高频组件的用途，包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。
- 用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件-201280014523.0
- 真边笃孝;C·雅斯佩;V·赖芬拉特;E·蒙特内格罗;D·保卢特;D·克拉斯 - 默克专利股份有限公司
- 2012-03-07 - 2013-12-11 - C09K19/18
- 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成
，其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
- 具有C-C 三键的化合物-201280014270.7
- C·雅斯佩;C·布罗克;D·保卢斯;V·赖芬拉特;真边笃孝 - 默克专利股份有限公司
- 2012-02-27 - 2013-12-04 - C09K19/18
- 本发明涉及具有正介电各向异性的在至少3环体系的链内具有至少一个C-C三键的化合物，涉及其用于高频部件的用途，涉及包括该化合物的液晶介质，和涉及包括这些介质的高频部件，特别是天线，尤其是用于千兆赫区域的天线。这些液晶介质例如用于可调谐的“相控阵”天线的微波的相移。
- 介晶化合物、液晶介质和用于高频技术的部件-201280013689.0
- C·雅斯佩;E·蒙特尼格罗;D·鲍鲁斯;V·赖芬拉特;真边笃孝 - 默克专利股份有限公司
- 2012-02-27 - 2013-12-04 - C09K19/18
- 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA的化合物组成
其中参数具有在权利要求中或者说明书中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。
- 液晶介质、用于高频技术的部件和介晶化合物-201180065436.3
- 真边笃孝;C·雅斯佩;V·雷芬拉斯;E·蒙特内格罗;D·保卢斯;D·克拉斯 - 默克专利股份有限公司
- 2011-12-22 - 2013-10-02 - C09K19/18
- 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式I的化合物组成
其中参数具有在权利要求中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件适合于特别是在微波和毫米波区域中作为移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。
- 可聚合的化合物和其在液晶显示器中的用途-201180030210.X
- A·托格贝克;A·戈茨;S·德劳 - 默克专利股份有限公司
- 2011-06-01 - 2013-03-06 - C09K19/18
- 本发明涉及可聚合化合物，用于其制备的方法和中间体，和其用于光学、电光学以及电子目的的用途，特别是在液晶(FK)介质以及液晶显示器中，尤其是在PS或PSA(“聚合物稳定”或“聚合物稳定配向”)类型的液晶显示器中的用途。
- 用于液晶介质的化合物和包含所述液晶介质的高频组件-201080042152.8
- E·蒙特尼格罗;C·雅斯佩;D·鲍鲁斯;V·雷芬拉特;真边笃孝 - 默克专利股份有限公司
- 2010-09-01 - 2012-07-11 - C09K19/18
- 本发明涉及式(I)的双二苯乙炔其中基团L1-L3的一个或多个表示Rx，其中Rx表示环丙基、环丁基、环戊基或环己基，并且其余参数如权利要求1中定义。本发明还包括包含标题化合物的液晶介质、包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。
- 一种联炔苯液晶化合物及其制备方法-201110412642.9
- 杨槐;王冬;苗宗成;张永明;金绍奎;武钊;赵玉 - 北京科技大学
- 2011-12-12 - 2012-06-27 - C09K19/18
- 本发明涉及一种联炔苯液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域。该化合物结构为：
其中n为1-18的整数，该类化合物制备方法包括：中间体苯炔的溴代反应，中间体卤苯乙炔化反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类联炔苯液晶化合物具有较长的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团。本发明制备的联炔苯类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。
- 用于高频技术的组件和液晶介质-201080041956.6
- 真边笃孝;M·格贝尔;D·克拉斯;E·蒙特尼格罗;D·保卢斯 - 默克专利股份有限公司
- 2010-09-14 - 2012-06-20 - C09K19/18
- 本发明涉及用于高频技术或者用于电磁光谱的微波范围和毫米波范围的组件，特征在于其包含式I的液晶化合物(其中参数具有在权利要求或说明书中给出的相应含义)或者本身包含一种或多种式I化合物的液晶介质，
以及涉及相应的新型液晶介质、其用途和制备，和组件的制造和应用。根据本发明的组件尤其适合作为微波范围内和在毫米波范围内的移相器，适合用于微波和毫米波-阵天线和极其特别适用于所谓可谐调的“反射阵”。
- 液晶介质-200910159891.4
- 久保伸夫;饭岛雅裕 - 默克专利股份有限公司
- 2009-07-16 - 2010-01-20 - C09K19/18
- 本发明涉及基于具有负介电各向异性的极性化合物的混合物的液晶介质，它含有至少一种式I的化合物，其中R1、R2各自独立地为具有1-8个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中的一个或多个CH2基团任选地被-CH＝CH-代替，以及一个或多个H原子任选地被F代替，以及所述介质在电光显示器中的用途。
- 一种合成二芳基乙炔类单体液晶的方法-200910074301.8
- 尚洪勇;张建立;华瑞茂;梁晓;刘鑫勤;朱起明 - 石家庄永生华清液晶有限公司
- 2009-05-07 - 2009-09-30 - C09K19/18
- 本发明公开了一种合成二芳基乙炔类单体液晶的方法，包括由卤代芳烃与芳基端炔发生偶联反应的方法，反应条件是在丙酮/水(5∶2)溶剂中让卤代芳烃和芳基端炔在常压、惰性气体保护下，在50～110℃的温度下进行偶联反应，反应中催化剂使用Pd/C-CuI-PPh3。卤代芳烃与芳基端炔按1/1.1当量加入，催化剂Pd/C-CuI-PPh3中的三种物质按(0.0003～0.007)/(0.006～0.05)/(0.005～0.007)当量比例加入，并可优选相对卤代芳烃或芳基端炔的摩尔百分比为0.03/0.6/0.6。本发明的方法还可以利用上述反应后滤出产物及其它固体物质的母液进行催化反应，继续制取二芳基乙炔类单体液晶。本发明为二芳基苯乙炔单体液晶的合成提供了一种新颖的催化反应体系，催化剂廉价、易得，可多次利用，液晶产物的分离、纯化过程简单，反应完成后将产物直接滤出即可，所得的单体液晶品质稳定，收率高，能大幅度降低生产成本，减少废物排放。
- 1,2-二芳基乙炔液晶的制备方法-200910021624.0
- 安忠维;陈新兵;陈沛 - 陕西师范大学
- 2009-03-20 - 2009-08-12 - C09K19/18
- 一种1，2-二芳基取代乙炔液晶的制备方法，它包括制备1-乙酰基-4-取代苯、制备1，1-二取代苯基-乙醇、制备1，1-二取代苯基乙烯、制备2-溴代-1，1-二取代苯基乙烯、制备1，2-二芳基取代乙炔反应步骤。本发明与偶联方法、经典反应及其改进方法制备1，2-二芳基取代乙炔相比，具有成本低、无污染等优点，可用于制备1，2-二芳基取代乙炔液晶。
- 一种向列型液晶组合物-200710175811.5
- 陈海光;杭德余;王广涛;姜天孟 - 北京八亿时空液晶材料科技有限公司
- 2007-10-12 - 2009-04-15 - C09K19/18
- 本发明提供了一种向列型液晶组合物，其包括一种以化学式I表示的向列型液晶化合物：其中，R1为0-12个碳原子的烷基，一个或两个不相邻的基团可以被-CH＝CH-取代，L1和L2彼此独立的为H或F，含量为5-40％。本发明的组合物的性能优异，具有非常低的总响应时间(ttot＝ton+toff)，特别是在低温状态，例如-20℃下，仍然具有很好的响应。同时具有非常陡的电致畸变曲线，并具有好的温度和频率依赖性，可以应用到128路以上的高路数STN-LCD中。
- 专利分类
