[发明专利]固体摄像器件无效

专利信息
申请号: 201280009643.1 申请日: 2012-02-20
公开(公告)号: CN103384916A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 舛冈富士雄;原田望 申请(专利权)人: 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374;H04N5/357
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;赵根喜
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种多个像素在像素区域排列成2维状的固体摄像器件。该像素形成于岛状半导体中。在该岛状半导体之中,自下方起,在信号线N+区域(2)、P区域(3)、该P区域(3)的上部的侧面,从岛状半导体的内侧形成有N区域(4)、P+区域(5)。在P区域(3)上,形成有P+区域(6)。通过将P+区域(5)与P+区域(6)设为低电平电压、将信号线N+区域(2)设为较低电平电压更大的高电平电压,可使储存于N区域(4)的信号电荷经由P区域(3)被去除在信号线N+区域(2)。
搜索关键词: 固体 摄像 器件
【主权项】:
一种多个像素在像素区域排列成2维状的固体摄像器件,其特征在于,具有:形成在衬底上的第1半导体区域;形成在前述第1半导体区域上的第2半导体区域;形成在前述第2半导体区域的上部侧面的第3半导体区域;形成在不与前述第2半导体区域的侧面相对向的前述第3半导体区域的侧面且为与前述第3半导体区域相反导电性的第4半导体区域;及在前述第2半导体区域上的为与前述3半导体区域相反导电性的第5半导体区域;前述第2半导体区域包括与前述第3半导体区域相反导电性的半导体或本质型半导体;至少前述第2半导体区域的上部、前述第3半导体区域、前述第4半导体区域及前述第5半导体区域形成岛状半导体;通过前述第2半导体区域与前述第3半导体区域而形成光电二极管;执行将因为射入于前述光电二极管区域的电磁能量波所产生的信号电荷储存于前述第3半导体区域的信号电荷储存动作;形成以前述第1半导体区域及前述第5半导体区域中的一方为漏极并且以另一方为源极且以储存前述信号电荷的前述第3半导体区域为栅极的结型场效应晶体管;执行依据储存于前述第3半导体区域的信号电荷量读取流通于前述结型场效应晶体管的前述源极及漏极间的电流作为信号输出的像素信号读取动作;执行信号电荷去除动作,其中,将前述第4半导体区域及前述第5半导体区域设为低电平电压,且将前述第1半导体区域设为较前述低电平电压更高的高电平电压,藉此在存在于前述第1半导体区域及前述第3半导体区域之间的前述第2半导体区域中将势垒消除,且经由该无势垒的第2半导体区域将储存于前述第3半导体区域的信号电荷从前述第3半导体区域予以去除至前述第1半导体区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司,未经新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280009643.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top